公开(公告)号：US07001821B2

公开(公告)日：2006-02-21

申请号：US10705039

申请日：2003-11-10

申请人： Sanjeev Aggarwal ,  Kelly J. Taylor ,  Theodore S. Moise

发明人： Sanjeev Aggarwal ,  Kelly J. Taylor ,  Theodore S. Moise

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： Hardmasks and fabrication methods are presented for producing ferroelectric capacitors in a semiconductor device, wherein a hardmask comprising aluminum oxide or strontium tantalum oxide is formed above an upper capacitor electrode material, and capacitor electrode and ferroelectric layers are etched to define a ferroelectric capacitor stack.

摘要翻译： 硬掩模和制造方法用于在半导体器件中制造铁电电容器，其中在上部电容器电极材料上方形成包括氧化铝或氧化钽锶的硬掩模，并蚀刻电容器电极和铁电层以限定铁电电容器叠层。

公开(公告)号：US06498502B2

公开(公告)日：2002-12-24

申请号：US09737365

申请日：2000-12-14

申请人： Henry L. Edwards ,  Theodore S. Moise ,  Glen D. Wilk

发明人： Henry L. Edwards ,  Theodore S. Moise ,  Glen D. Wilk

IPC分类号： G01R31302

CPC分类号： G01R31/303 ,  G01R31/312 ,  Y10S977/852

摘要： An apparatus and method for evaluating semiconductor structures and devices are provided. A method for evaluating at least one selected electrical property of a semiconductor device (201) in relation to a selected geometric dimension of the semiconductor device (201). The method further includes forming a plurality of semiconductor devices (201) on a substrate (202), the devices (201) having at least one geometric dimension, measuring the at least one electrical property of at least one of the semiconductor devices (201) using a scanning probe microscopy based technique, and determining a relationship between the measured electrical property and the selected geometric dimension of the semiconductor device (201). The method further includes evaluating at least one semiconductor fabrication process based upon the determined relationship.

摘要翻译： 提供了一种用于评估半导体结构和装置的装置和方法。 一种用于评估半导体器件（201）相对于半导体器件（201）的选定几何尺寸的至少一个所选电性能的方法。 该方法还包括在衬底（202）上形成多个半导体器件（201），所述器件（201）具有至少一个几何尺寸，测量半导体器件（201）中的至少一个的至少一个电性能， 使用基于扫描探针显微镜的技术，以及确定所测量的电性能与所述半导体器件（201）的选定几何尺寸之间的关系。 该方法还包括基于所确定的关系来评估至少一个半导体制造工艺。