公开(公告)号：US20110136290A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12959995

申请日：2010-12-03

申请人： Ki-Hyung KO ,  Byoung-Moon Yoon ,  Won-Jun Lee ,  Joon-Sang Park ,  Jun-Youl Yang ,  Seung-Ho Park ,  Myung-Jung Pyo

发明人： Ki-Hyung KO ,  Byoung-Moon Yoon ,  Won-Jun Lee ,  Joon-Sang Park ,  Jun-Youl Yang ,  Seung-Ho Park ,  Myung-Jung Pyo

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

摘要： In an etching method, a thin layer is formed on a first surface of a first substrate doped with first impurities having a first doping concentration. The thin layer is doped with second impurities having a second doping concentration lower than the first doping concentration. A second substrate is formed on the thin layer. A second surface of the first substrate is polished. The polished first substrate is cleaned using a cleaning solution including ammonia and deionized water. The cleaned first substrate is etched to expose the thin layer.

摘要翻译： 在蚀刻方法中，在掺杂有具有第一掺杂浓度的第一杂质的第一衬底的第一表面上形成薄层。 该薄层掺杂有具有低于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第二杂质。 第二衬底形成在薄层上。 抛光第一衬底的第二表面。 使用包括氨和去离子水的清洁溶液清洁抛光的第一衬底。 蚀刻清洁的第一衬底以暴露薄层。

公开(公告)号：US20060088987A1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：US11249515

申请日：2005-10-14

申请人： In-Joon Yeo ,  Won-Jun Lee ,  Tae-Hyun Kim ,  Ji-Hong Kim ,  Byoung-Moon Yoon

发明人： In-Joon Yeo ,  Won-Jun Lee ,  Tae-Hyun Kim ,  Ji-Hong Kim ,  Byoung-Moon Yoon

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/115

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes forming an insulation pattern over a substrate. The insulation pattern has at least one opening that exposes a surface of the substrate. Then, a first polysilicon layer is formed over the substrates such that the first polysilicon layer fills the opening. The first polysilicon layer also includes a void therein. An upper portion of the first polysilicon layer is removed such that void expands to a recess and the recess is exposed. A second polysilicon layer is formed over the substrate such that the second polysilicon layer fills the recess.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括在衬底上形成绝缘图案。 绝缘图案具有暴露基板表面的至少一个开口。 然后，在基板上形成第一多晶硅层，使得第一多晶硅层填充开口。 第一多晶硅层还包括空隙。 去除第一多晶硅层的上部，使得空隙膨胀到凹部并且凹部暴露。 第二多晶硅层形成在衬底上，使得第二多晶硅层填充凹部。