公开(公告)号：US20110136290A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12959995

申请日：2010-12-03

申请人： Ki-Hyung KO ,  Byoung-Moon Yoon ,  Won-Jun Lee ,  Joon-Sang Park ,  Jun-Youl Yang ,  Seung-Ho Park ,  Myung-Jung Pyo

发明人： Ki-Hyung KO ,  Byoung-Moon Yoon ,  Won-Jun Lee ,  Joon-Sang Park ,  Jun-Youl Yang ,  Seung-Ho Park ,  Myung-Jung Pyo

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

摘要： In an etching method, a thin layer is formed on a first surface of a first substrate doped with first impurities having a first doping concentration. The thin layer is doped with second impurities having a second doping concentration lower than the first doping concentration. A second substrate is formed on the thin layer. A second surface of the first substrate is polished. The polished first substrate is cleaned using a cleaning solution including ammonia and deionized water. The cleaned first substrate is etched to expose the thin layer.

摘要翻译： 在蚀刻方法中，在掺杂有具有第一掺杂浓度的第一杂质的第一衬底的第一表面上形成薄层。 该薄层掺杂有具有低于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第二杂质。 第二衬底形成在薄层上。 抛光第一衬底的第二表面。 使用包括氨和去离子水的清洁溶液清洁抛光的第一衬底。 蚀刻清洁的第一衬底以暴露薄层。

公开(公告)号：US20130012021A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13526960

申请日：2012-06-19

申请人： Jung-Chan LEE ,  Yoo-Jung LEE ,  Ki-Hyung KO ,  Dae-Young KWAK ,  Seung-Jae LEE ,  Jae-Sung HUR ,  Sang-Bom KANG ,  Cheol KIM ,  Bo-Un YOON

发明人： Jung-Chan LEE ,  Yoo-Jung LEE ,  Ki-Hyung KO ,  Dae-Young KWAK ,  Seung-Jae LEE ,  Jae-Sung HUR ,  Sang-Bom KANG ,  Cheol KIM ,  Bo-Un YOON

IPC分类号： H01L21/283

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/82345 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes forming an interlayer dielectric film that has first and second trenches on first and second regions of a substrate, respectively, forming a first metal layer along a sidewall and a bottom surface of the first trench and along a top surface of the interlayer dielectric film in the first region, forming a second metal layer along a sidewall and a bottom surface of the second trench and along a top surface of the interlayer dielectric film in the second region, forming a first sacrificial layer pattern on the first metal layer such that the first sacrificial layer fills a portion of the first trench, forming a first electrode layer by etching the first metal layer and the second metal layer using the first sacrificial layer pattern, and removing the first sacrificial layer pattern.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底的第一和第二区域上分别形成具有第一和第二沟槽的层间电介质膜，沿着第一沟槽的侧壁和底表面沿顶部形成第一金属层 在所述第一区域中的所述层间电介质膜的表面，沿着所述第二沟槽的侧壁和底表面沿着所述第二区域中的所述层间电介质膜的顶表面形成第二金属层，在所述第二区域中形成第一牺牲层图案 第一金属层，使得第一牺牲层填充第一沟槽的一部分，通过使用第一牺牲层图案蚀刻第一金属层和第二金属层形成第一电极层，以及去除第一牺牲层图案。