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    Method to detect and predict metal silicide defects in a microelectronic device during the manufacture of an integrated circuit
    41.
    发明授权
    Method to detect and predict metal silicide defects in a microelectronic device during the manufacture of an integrated circuit 有权
    在集成电路制造期间检测和预测微电子器件中的金属硅化物缺陷的方法

    公开(公告)号：US07443189B2

    公开(公告)日：2008-10-28

    申请号：US11049109

    申请日：2005-02-02

    申请人： Deepak A. Ramappa

    发明人： Deepak A. Ramappa

    IPC分类号： G01R31/06

    CPC分类号： G01R31/307

    摘要： The present teachings provide methods for detection of metal silicide defects in a microelectronic device. In an exemplary embodiment, a portion of a semiconductor substrate may be positioned in a field of view of an inspection tool. The method also includes producing (120) a voltage contrast image of the portion, wherein the image is obtained using a collection field that is stronger than an incident field. The method also includes using (130) the voltage contrast image to determine a metal silicide defect in a microelectronic device. Other embodiments include an inspection system (200) for detecting metal silicide defects and a method of manufacturing an integrated circuit (300).

    摘要翻译： 本教导提供了用于检测微电子器件中的金属硅化物缺陷的方法。 在示例性实施例中，半导体衬底的一部分可以位于检查工具的视野内。 该方法还包括产生（120）该部分的电压对比度图像，其中使用比入射场强的收集场获得图像。 该方法还包括使用（130）电压对比图像来确定微电子器件中的金属硅化物缺陷。 其他实施例包括用于检测金属硅化物缺陷的检查系统（200）和制造集成电路（300）的方法。

    Post-polish treatment for inhibiting copper corrosion
    42.
    发明授权
    Post-polish treatment for inhibiting copper corrosion 有权
    后腐蚀处理以抑制铜腐蚀

    公开(公告)号：US07268073B2

    公开(公告)日：2007-09-11

    申请号：US10985193

    申请日：2004-11-10

    申请人： Deepak A. Ramappa ,  Mona Eissa ,  Christopher Lyle Borst ,  Ting Y. Tsui

    发明人： Deepak A. Ramappa ,  Mona Eissa ,  Christopher Lyle Borst ,  Ting Y. Tsui

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76886 ,  H01L21/7684

    摘要： Methods (102) are presented for protecting copper structures (26) from corrosion in the fabrication of semiconductor devices (2), wherein a thin semiconductor or copper-semiconductor alloy corrosion protection layer (30) is formed on an exposed surface (26a) of a copper structure (26) prior to performance of metrology operations (206), so as to inhibit corrosion of the copper structure (26). All or a portion of the corrosion protection layer (30) is then removed (214) in forming an opening in an overlying dielectric (44) in a subsequent interconnect layer.

    摘要翻译： 在半导体器件（2）的制造中提出了用于保护铜结构（26）免受腐蚀的方法（102），其中在暴露表面（26a）上形成薄的半导体或铜 - 半导体合金腐蚀保护层（30） 在执行计量操作（206）之前，铜结构（26），以便抑制铜结构（26）的腐蚀。 然后在随后的互连层中在覆盖电介质（44）中形成开口的全部或一部分腐蚀保护层（30）被去除（214）。