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    DEVICES INCLUDING A GAS BARRIER LAYER
    41.
    发明申请
    DEVICES INCLUDING A GAS BARRIER LAYER 有权
    包括气体障碍层的装置

    公开(公告)号：US20140376350A1

    公开(公告)日：2014-12-25

    申请号：US14313611

    申请日：2014-06-24

    Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

    Inventor： Yuhang Cheng ,  Scott Franzen ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Michael Allen Seigler

    IPC: G11B5/40 ,  G11B5/48

    CPC classification number: G11B5/40 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3136 ,  G11B5/314 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/486 ,  G11B5/4866 ,  G11B2005/0021

    Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT); a gas barrier layer positioned on at least a portion of the NFT; and a wear resistance layer positioned on at least a portion of the gas barrier layer wherein the gas barrier layer includes tantalum oxide (TaO), titanium oxide (TiO), chromium oxide (CrO), silicon oxide (SiO), aluminum oxide (AlO), titanium oxide (TiO), zirconium oxide (ZrO), yttrium oxide (YO), magnesium oxide (MgO), beryllium oxide (BeO), niobium oxide (NbO), hafnium oxide (HfO), vanadium oxide (VO), strontium oxide (SrO), or combinations thereof; silicon nitride (SiN), aluminum nitride (Al), boron nitride (BN), titanium nitride (TiN), zirconium nitride (ZrN), niobioum nitride (NbN), hafnium nitride (HfN), chromium nitride (CrN), or combinations thereof silicon carbide (SiC), titanium carbide (TiC), zirconium carbide (ZrC), niobioum carbide (NbC), chromium carbide (CrC), vanadium carbide (VC), boron carbide (BC), or combinations thereof or combinations thereof.

    Abstract translation: 包括近场传感器（NFT）的设备; 位于所述NFT的至少一部分上的阻气层; 以及位于所述阻气层的至少一部分上的耐磨层，其中所述阻气层包括氧化钽（TaO），氧化钛（TiO），氧化铬（CrO），氧化硅（SiO），氧化铝（AlO ），氧化钛（TiO），氧化锆（ZrO），氧化钇（YO），氧化镁（MgO），氧化铍（BeO），氧化铌（NbO），氧化铪（HfO），氧化钒（VO） 氧化锶（SrO）或其组合; 氮化硅（SiN），氮化铝（Al），氮化硼（BN），氮化钛（TiN），氮化锆（ZrN），氮化硼（NbN），氮化铪（HfN），氮化铬（CrN） 碳化硅（SiC），碳化钛（TiC），碳化锆（ZrC），碳化铌（NbC），碳化铬（CrC），碳化钒（VC），碳化硼（BC）或其组合或其组合。

    MATERIALS FOR NEAR FIELD TRANSDUCERS, NEAR FIELD TRANDUCERS CONTAINING SAME, AND METHODS OF FORMING
    47.
    发明申请
    MATERIALS FOR NEAR FIELD TRANSDUCERS, NEAR FIELD TRANDUCERS CONTAINING SAME, AND METHODS OF FORMING 审中-公开
    近场传感器的材料，包含其的现场操纵杆及其形成方法

    公开(公告)号：US20170069342A1

    公开(公告)日：2017-03-09

    申请号：US15357333

    申请日：2016-11-21

    Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

    Inventor： Yuhang Cheng ,  Tong Zhao ,  Michael C. Kautzky ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Scott Franzen ,  Sethuraman Jayashankar ,  Sarbeswar Sahoo ,  Justin Glen Brons ,  Steve C. Riemer ,  Jie Gong ,  Michael Allen Seigler

    IPC: G11B5/48 ,  C22C5/02

    Abstract: A device including a near field transducer, the near field transducer including gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), or aluminum (Al), and at least two other secondary atoms, the at least two other secondary atoms selected from: boron (B), bismuth (Bi), indium (In), sulfur (S), silicon (Si), tin (Sn), manganese (Mn), tellurium (Te), holmium (Ho), lutetium (Lu), praseodymium (Pr), scandium (Sc), uranium (U), barium (Ba), chlorine (Cl), cesium (Cs), dysprosium (Dy), europium (Eu), fluorine (F), germanium (Ge), hydrogen (H), iodine (I), rubidium (Rb), selenium (Se), terbium (Tb), nitrogen (N), oxygen (O), carbon (C), antimony (Sb), gadolinium (Gd), samarium (Sm), thallium (Tl), cadmium (Cd), neodymium (Nd), phosphorus (P), lead (Pb), hafnium (Hf), niobium (Nb), erbium (Er), zinc (Zn), magnesium (Mg), palladium (Pd), vanadium (V), zinc (Zn), chromium (Cr), iron (Fe), lithium (Li), nickel (Ni), platinum (Pt), sodium (Na), strontium (Sr), calcium (Ca), yttrium (Y), thorium (Th), beryllium (Be), thulium (Tm), erbium (Er), ytterbium (Yb), promethium (Pm), neodymium (Nd cobalt (Co), cerium (Ce), lanthanum (La), praseodymium (Pr), or combinations thereof.

    Abstract translation: 一种包括近场换能器的装置，包括金（Au），银（Ag），铜（Cu）或铝（Al）的近场换能器和至少两个其它次级原子，所选择的至少两个其它次级原子 来自：硼（B），铋（Bi），铟（In），硫（S），硅（Si），锡（Sn），锰（Mn），碲（Te），钬（Ho） ），镨（Pr），钪（Sc），铀（U），钡（Ba），氯（Cl），铯（Cs），镝（Dy），铕（Eu），氟（F） ），氢（H），碘（I），铷（Rb），硒（Se），铽（Tb），氮（N），氧（O），碳（C），锑（Sb） ），钐（Sm），铊（Tl），镉（Cd），钕（Nd），磷（P），铅（Pb），铪（Hf），铌（Nb），铒（Er） ），镁（Mg），钯（Pd），钒（V），锌（Zn），铬（Cr），铁（Fe），锂（Li），镍（Ni），铂（Pt） ），锶（Sr），钙（Ca），钇（Y），钍（Th），铍（B 铕（Tm），铒（Er），镱（Yb），ium（Pm），钕（Nd钴（Co），铈（Ce），镧（La），镨（Pr）

    LASER DIODE UNIT WITH ENHANCED THERMAL CONDUCTION TO SLIDER
    50.
    发明申请
    LASER DIODE UNIT WITH ENHANCED THERMAL CONDUCTION TO SLIDER 有权
    激光二极管单元，具有增强的导热滑块

    公开(公告)号：US20160247527A1

    公开(公告)日：2016-08-25

    申请号：US14626688

    申请日：2015-02-23

    Applicant: Seagate Technology LLC

    Inventor： Yuhang Cheng ,  Scott Franzen ,  Zoran Jandric ,  James Gary Wessel ,  Ning Shi

    IPC: G11B5/60 ,  G11B5/48

    CPC classification number: G11B5/6088 ,  G11B5/105 ,  G11B5/314 ,  G11B5/4826 ,  G11B2005/0021

    Abstract: An apparatus comprises a slider having a trailing edge and a leading edge. A laser diode unit comprises a submount and a laser diode mounted to the submount. The submount includes a mounting surface affixed to a first surface of the slider at the trailing edge such that a first surface of the submount faces toward the leading edge of the slider. A thermally conductive material covers the first surface of the submount and at least a portion of the first surface of the slider. The thermally conductive material serves as a thermal conduction pathway between the submount and the slider.

    Abstract translation: 一种装置包括具有后缘和前缘的滑块。 激光二极管单元包括安装到底座的基座和激光二极管。 底座包括在后缘处固定到滑块的第一表面的安装表面，使得底座的第一表面面向滑块的前缘。 导热材料覆盖基座的第一表面和滑块的第一表面的至少一部分。 导热材料用作底座和滑块之间的热传导路径。

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