公开(公告)号：US5341332A

公开(公告)日：1994-08-23

申请号：US59406

申请日：1993-05-11

申请人： Kazunari Inoue ,  Toshiyuki Ogawa

发明人： Kazunari Inoue ,  Toshiyuki Ogawa

IPC分类号： G11C11/401 ,  G11C7/20 ,  G11C7/00 ,  G11C8/00

CPC分类号： G11C7/20

摘要： A semiconductor memory device having flash write mode and initialized mode functions includes a flash write signal generation circuit for generating flash write signals FW and /FW, and a plurality of switching circuits 30 each provided corresponding to one row in a memory cell arrays MA. The switching circuit 30 applies fixed data "0" or "1" to a memory cell connected to one row selected by a row decoder 10, in response to the flash write signal FW or /FW. Because it is not necessary to activate a column decoder when the flash write or the initialized mode operation is conducted, writing speed can be increased while power consumption can be reduced.

摘要翻译： 具有闪速写入模式和初始化模式功能的半导体存储器件包括用于产生闪存写入信号FW和/ FW的闪存写入信号产生电路，以及在存储单元阵列MA中对应于一行的多个切换电路30。 响应于闪速写入信号FW或/ FW，切换电路30将固定数据“0”或“1”应用于连接到由行解码器10选择的一行的存储单元。 由于在进行闪写或初始化模式操作时不需要激活列解码器，因此可以提高写入速度，同时可以降低功耗。

公开(公告)号：US4931995A

公开(公告)日：1990-06-05

申请号：US263157

申请日：1988-10-27

申请人： Yasuhiko Okasaka ,  Toshiyuki Ogawa

发明人： Yasuhiko Okasaka ,  Toshiyuki Ogawa

IPC分类号： G11C8/04 ,  G11C11/401 ,  G11C11/4096

CPC分类号： G11C11/4096

摘要： A data writing method in a DRAM comprises the steps of bringing a row address strobe input signal into an enabling state and successively changing a signal indicative of a row address while the row address strobe input signal is in the enabling state, thereby to write data successively into a plurality of memory cells designated by the row addresses.

摘要翻译： DRAM中的数据写入方法包括以下步骤：在行地址选通输入信号处于使能状态的同时，将行地址选通输入信号变为使能状态，并依次变更表示行地址的信号，依次写入数据 转换为由行地址指定的多个存储单元。