公开(公告)号：US20070175384A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：US11668718

申请日：2007-01-30

申请人： Georg Bruderl ,  Christoph Eichler ,  Uwe Strauss

发明人： Georg Bruderl ,  Christoph Eichler ,  Uwe Strauss

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B19/00 ,  C30B25/00

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： Disclosed are a method of fabricating a quasi-substrate wafer (17) with a subcarrier wafer (4) and a growth layer (120), and a semiconductor body fabricated using such a quasi-substrate wafer (17). In the method of fabricating a quasi-substrate wafer (17), a growth substrate wafer (1) is fabricated that is provided with a separation zone (2) and comprises the desired material of the growth layer (120). The growth substrate wafer (1) is provided with a stress that counteracts a stress generated by the formation of the separation zone, and/or the stress generated by the formation of the separation zone is distributed, by structuring a first main face (101) of the growth substrate wafer (1) and/or the separation zone (2), to a plurality of subregions along the first main face (101). The growth substrate wafer (1) with separation zone (2) exhibits no or only slight bowing.

摘要翻译： 公开了一种制造具有子载波晶片（4）和生长层（120）的准衬底晶片（17）的方法，以及使用这种准衬底晶片（17）制造的半导体本体。 在制造准基板晶片（17）的方法中，制造生长衬底晶片（1），其具有分离区（2）并且包含生长层（120）的所需材料。 生长衬底晶片（1）具有抵消由形成分离区产生的应力的应力和/或通过形成分离区而产生的应力被分配，通过构造第一主面（101） 的生长衬底晶片（1）和/或分离区（2）连接到沿着第一主面（101）的多个子区域。 具有分离区（2）的生长衬底晶片（1）没有或只显示轻微的弯曲。