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    METHOD OF FABRICATING A QUASI-SUBSTARTE WAFER AND SEMICONDUCTOR BODY FABRICATED USING SUCH A QUASI-SUBSTARTE WAFER
    3.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING A QUASI-SUBSTARTE WAFER AND SEMICONDUCTOR BODY FABRICATED USING SUCH A QUASI-SUBSTARTE WAFER 有权
    使用这种基准晶体波形制造准二次晶体波形和半导体体的方法

    公开(公告)号：US20070175384A1

    公开(公告)日：2007-08-02

    申请号：US11668718

    申请日：2007-01-30

    申请人： Georg Bruderl ,  Christoph Eichler ,  Uwe Strauss

    发明人： Georg Bruderl ,  Christoph Eichler ,  Uwe Strauss

    IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B19/00 ,  C30B25/00

    CPC分类号： H01L21/76254

    摘要： Disclosed are a method of fabricating a quasi-substrate wafer (17) with a subcarrier wafer (4) and a growth layer (120), and a semiconductor body fabricated using such a quasi-substrate wafer (17). In the method of fabricating a quasi-substrate wafer (17), a growth substrate wafer (1) is fabricated that is provided with a separation zone (2) and comprises the desired material of the growth layer (120). The growth substrate wafer (1) is provided with a stress that counteracts a stress generated by the formation of the separation zone, and/or the stress generated by the formation of the separation zone is distributed, by structuring a first main face (101) of the growth substrate wafer (1) and/or the separation zone (2), to a plurality of subregions along the first main face (101). The growth substrate wafer (1) with separation zone (2) exhibits no or only slight bowing.

    摘要翻译： 公开了一种制造具有子载波晶片（4）和生长层（120）的准衬底晶片（17）的方法，以及使用这种准衬底晶片（17）制造的半导体本体。 在制造准基板晶片（17）的方法中，制造生长衬底晶片（1），其具有分离区（2）并且包含生长层（120）的所需材料。 生长衬底晶片（1）具有抵消由形成分离区产生的应力的应力和/或通过形成分离区而产生的应力被分配，通过构造第一主面（101） 的生长衬底晶片（1）和/或分离区（2）连接到沿着第一主面（101）的多个子区域。 具有分离区（2）的生长衬底晶片（1）没有或只显示轻微的弯曲。

    Process for producing a semiconductor chip
    4.
    发明申请
    Process for producing a semiconductor chip 有权
    半导体芯片的制造方法

    公开(公告)号：US20060172506A1

    公开(公告)日：2006-08-03

    申请号：US11314447

    申请日：2005-12-20

    申请人： Georg Bruderl ,  Volker Harle

    发明人： Georg Bruderl ,  Volker Harle

    IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/30

    CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405

    摘要： In a process for producing a semiconductor chip, a functional semiconductor layer sequence (2) is grown epitaxially on a growth substrate (1). Then, a separating zone (4), which lies parallel to a main surface (8) of the growth substrate (1), is formed in the growth substrate (1) by ion implantation, the ion implantation taking place through the functional semiconductor layer sequence (2). Then, a handle substrate (6) is applied to the functional semiconductor layer sequence (2), and a part of the growth substrate (1) which is remote from the handle substrate (6) as seen from the separating zone (4), is detached along the separating zone (4).

    摘要翻译： 在制造半导体芯片的工艺中，在生长衬底（1）上外延生长功能半导体层序列（2）。 然后，通过离子注入在生长衬底（1）中形成平行于生长衬底（1）的主表面（8）平行的分离区（4），通过功能半导体层发生离子注入 序列（2）。 然后，从功能半导体层序列（2）施加手柄基板（6），从分离区域（4）观察到远离手柄基板（6）的生长基板（1）的一部分， 沿分离区（4）分离。