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    Overlay mark and method of forming the same
    51.
    发明申请
    Overlay mark and method of forming the same 有权
    叠加标记和形成方法

    公开(公告)号：US20080032208A1

    公开(公告)日：2008-02-07

    申请号：US11826745

    申请日：2007-07-18

    申请人： Dae-Joung Kim ,  Ji-Yong You ,  Hyun-Seok Lim

    发明人： Dae-Joung Kim ,  Ji-Yong You ,  Hyun-Seok Lim

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F7/70633

    摘要： An overlay mark may include a main overlay pattern and an auxiliary overlay pattern, wherein the main overlay pattern may have an opening exposing a substrate and the auxiliary overlay pattern may be formed in the opening. The auxiliary overlay pattern may be spaced apart from a sidewall of the main overlay pattern defining the opening. The thickness ratio of the auxiliary overlay pattern to the main overlay pattern may be about 0.05:1 to about 0.30:1. Accordingly, overlay accuracy measurements may be improved using the clearer overlay mark according to example embodiments.

    摘要翻译： 覆盖标记可以包括主覆盖图案和辅助覆盖图案，其中主覆盖图案可以具有暴露基板的开口，并且可以在开口中形成辅助覆盖图案。 辅助覆盖图案可以与限定开口的主覆盖图案的侧壁间隔开。 辅助覆盖图案与主覆盖图案的厚度比可以为约0.05:1至约0.30:1。 因此，可以使用根据示例性实施例的更清晰的覆盖标记来改善覆盖精度测量。

    Method of manufacturing a pattern structure and method of forming a trench using the same
    53.
    发明申请
    Method of manufacturing a pattern structure and method of forming a trench using the same 审中-公开
    图案结构的制造方法以及使用其形成沟槽的方法

    公开(公告)号：US20070009838A1

    公开(公告)日：2007-01-11

    申请号：US11475913

    申请日：2006-06-28

    申请人： Ji-Yong You ,  Chun-Suk Suh ,  Hak Kim ,  Dae-Joung Kim ,  Kyoung-Yun Baek

    发明人： Ji-Yong You ,  Chun-Suk Suh ,  Hak Kim ,  Dae-Joung Kim ,  Kyoung-Yun Baek

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/405 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/3083

    摘要： A method of manufacturing a pattern structure and a method of forming a trench using the same are provided. A mask pattern structure having mask patterns spaced apart from one another may be formed on a layer. The mask pattern structure may be divided into a first region having a first pattern density and a second region having a second pattern density higher than the first pattern density. The layer may be etched using the mask pattern structure as an etching mask to form first sidewalls positioned under the first region and second sidewalls positioned under the second region. The first sidewall may have a first profile that may be substantially vertical. The second sidewall may have a second profile of which an interval between the second sidewalls becomes narrower toward lower portions of the second sidewalls.

    摘要翻译： 提供了制造图案结构的方法和使用其形成沟槽的方法。 具有彼此间隔开的掩模图案的掩模图案结构可以形成在层上。 掩模图案结构可以被划分为具有第一图案密度的第一区域和具有高于第一图案密度的第二图案密度的第二区域。 可以使用掩模图案结构蚀刻该层作为蚀刻掩模，以形成位于第一区域下方的第一侧壁和位于第二区域下方的第二侧壁。 第一侧壁可以具有基本垂直的第一轮廓。 第二侧壁可以具有第二轮廓，第二侧壁之间的间隔朝向第二侧壁的下部变窄。