公开(公告)号：US20050211379A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US10810619

申请日：2004-03-29

申请人： Hung-Wen Su ,  Ming-Hsing Tsai

发明人： Hung-Wen Su ,  Ming-Hsing Tsai

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C23F1/08 ,  H01L21/67057

摘要： Apparatus and method for removing copper from wafer edge. The apparatus of the invention includes a bath tank for containing a chemical bath, a rotatable wafer chuck for holding a wafer vertical to the chemical bath, wherein at least the edge of the wafer is covered with a metal layer, and a sliding element is disposed on one end of the rotatable wafer chuck such that the rotatable wafer chuck can move in a vertical direction to the chemical bath.

摘要翻译： 从晶片边缘去除铜的装置和方法。 本发明的装置包括用于容纳化学浴液的浴槽，用于将晶片垂直于化学浴保持的可旋转晶片卡盘，其中晶片的至少边缘被金属层覆盖，并且设置滑动元件 在可旋转的晶片卡盘的一端上，使得可旋转的晶片卡盘可以在垂直方向上移动到化学浴槽。