公开(公告)号：US06638774B2

公开(公告)日：2003-10-28

申请号：US10047456

申请日：2002-01-15

申请人： Wolfgang Raberg

发明人： Wolfgang Raberg

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： G11C11/16

摘要： A resistive memory element (144), magnetic random access memory (MRAM) device, and methods of manufacturing thereof, wherein a thin oxide layer (132) is disposed within the first metal layer (136) of the memory element (144). The thin oxide layer (132) comprises an oxygen mono-layer. The roughness of subsequently-formed layers (134/118/116) is reduced, and magnetic capabilities of the resistive memory element (144) are enhanced by the use of the thin oxide layer (132) within the first metal layer (136).

摘要翻译： 电阻式存储器元件（144），磁性随机存取存储器（MRAM）器件及其制造方法，其中在存储元件（144）的第一金属层（136）内设置薄氧化物层（132）。 薄氧化物层（132）包括氧单层。 随后形成的层（134/118/116）的粗糙度减小，并且通过使用第一金属层（136）内的薄氧化物层（132）来增强电阻性存储元件（144）的磁性能。