公开(公告)号：US06306737B1

公开(公告)日：2001-10-23

申请号：US09492571

申请日：2000-01-27

申请人： Freidoon Mehrad ,  Thomas M. Ambrose ,  Lancy Y. Tsung

发明人： Freidoon Mehrad ,  Thomas M. Ambrose ,  Lancy Y. Tsung

IPC分类号： H01L21425

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/115

摘要： A method of forming a semiconductor component having a conductive line (24) that crosses a trench (72). The method involves forming steps (104) in the sidewalls of the trench (72) in a semiconductor substrate (52). A dopant may be implanted at a first energy level into the semiconductor substrate (52) to form a first conductive region (92). The dopant may be implanted at a second energy level into the semiconductor substrate (52) to form a second conductive region (94). The first energy level may be greater than the second energy level. The first conductive region (92) and the second conductive region (94) may form the conductive line (24).

摘要翻译： 一种形成具有穿过沟槽（72）的导电线（24）的半导体部件的方法。 该方法包括在半导体衬底（52）中的沟槽（72）的侧壁中形成步骤（104）。 掺杂剂可以以第一能级注入到半导体衬底（52）中以形成第一导电区域（92）。 掺杂剂可以以第二能级注入到半导体衬底（52）中以形成第二导电区域（94）。 第一能级可能大于第二能级。 第一导电区域（92）和第二导电区域（94）可以形成导线（24）。

公开(公告)号：US5604150A

公开(公告)日：1997-02-18

申请号：US547852

申请日：1995-10-25

申请人： Freidoon Mehrad

发明人： Freidoon Mehrad

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L21/762

摘要： To ensure proper electrical insulation under thick-field isolation regions (23) grown in triple-well structures, the channel-stop impurity (30) is implanted using multiple doses at different energies, depending on the oxide thickness of the thick-field isolation regions (23). The split-implant procedure results in much wider process variation windows for the thick-field isolation regions (23). Process variations include oxide thickness of grown oxide, implant energy/dose and reduced thickness caused by wet de-glazing steps.

摘要翻译： 为了确保在三阱结构中生长的厚场隔离区（23）下的适当电绝缘，根据厚场隔离区的氧化物厚度，以不同能量的多个剂量注入通道阻挡杂质（30） （23）。 分割植入程序为厚场隔离区域（23）产生了更广泛的工艺变化窗口。 工艺变化包括生长的氧化物的氧化物厚度，植入能量/剂量以及由湿式去玻璃步骤引起的厚度减小。