公开(公告)号：US06306737B1

公开(公告)日：2001-10-23

申请号：US09492571

申请日：2000-01-27

申请人： Freidoon Mehrad ,  Thomas M. Ambrose ,  Lancy Y. Tsung

发明人： Freidoon Mehrad ,  Thomas M. Ambrose ,  Lancy Y. Tsung

IPC分类号： H01L21425

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/115

摘要： A method of forming a semiconductor component having a conductive line (24) that crosses a trench (72). The method involves forming steps (104) in the sidewalls of the trench (72) in a semiconductor substrate (52). A dopant may be implanted at a first energy level into the semiconductor substrate (52) to form a first conductive region (92). The dopant may be implanted at a second energy level into the semiconductor substrate (52) to form a second conductive region (94). The first energy level may be greater than the second energy level. The first conductive region (92) and the second conductive region (94) may form the conductive line (24).

摘要翻译： 一种形成具有穿过沟槽（72）的导电线（24）的半导体部件的方法。 该方法包括在半导体衬底（52）中的沟槽（72）的侧壁中形成步骤（104）。 掺杂剂可以以第一能级注入到半导体衬底（52）中以形成第一导电区域（92）。 掺杂剂可以以第二能级注入到半导体衬底（52）中以形成第二导电区域（94）。 第一能级可能大于第二能级。 第一导电区域（92）和第二导电区域（94）可以形成导线（24）。

公开(公告)号：US06803273B1

公开(公告)日：2004-10-12

申请号：US09574730

申请日：2000-05-18

申请人： Thomas M. Ambrose ,  Freidoon Mehrad ,  Ming Yang ,  Lancy Tsung

发明人： Thomas M. Ambrose ,  Freidoon Mehrad ,  Ming Yang ,  Lancy Tsung

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115

摘要： A method of forming a semiconductor component having a conductive line (24) and a silicide region (140) that crosses a trench (72). The method involves forming nitride sidewalls (130) to protect the stack during the silicidation process.

摘要翻译： 一种形成具有导电线（24）和穿过沟槽（72）的硅化物区域（140）的半导体部件的方法。 该方法包括在硅化过程中形成氮化物侧壁（130）以保护堆叠。

公开(公告)号：US06451642B1

公开(公告)日：2002-09-17

申请号：US09599377

申请日：2000-06-22

申请人： Freidoon Mehrad ,  Jie Xia ,  Thomas M. Ambrose

发明人： Freidoon Mehrad ,  Jie Xia ,  Thomas M. Ambrose

IPC分类号： H01L218238

CPC分类号： H01L27/11526 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11546

摘要： A method to implant NMOS polycrystalline silicon in embedded FLASH memory applications is described. In the method the polycrystalline silicon region (130) that will used to form the gate electrode of the NMOS transistor is doped simultaneously along with the source line in the FLASH memory array.

摘要翻译： 描述了在嵌入式FLASH存储器应用中注入NMOS多晶硅的方法。 在该方法中，将用于形成NMOS晶体管的栅极的多晶硅区域（130）与闪存存储器阵列中的源极线同时掺杂。