公开(公告)号：US4985310A

公开(公告)日：1991-01-15

申请号：US405418

申请日：1989-09-05

申请人： Birendra N. Agarwala ,  Keith F. Beckman ,  Alice H. Cooper-Joselow ,  Chandrasekhar Narayan ,  Sampath Purushothaman ,  Sudipta K. Ray

发明人： Birendra N. Agarwala ,  Keith F. Beckman ,  Alice H. Cooper-Joselow ,  Chandrasekhar Narayan ,  Sampath Purushothaman ,  Sudipta K. Ray

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/532 ,  H05K3/24

CPC分类号： H05K3/24 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12743 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12854 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/1291

摘要： Disclosed is a multilayered metallurgical structure for an electronic component. The structure includes a base metallurgy which includes one or more layers of chromium, titanium, zirconium, hafnium, niobium, molybdenum, tantalum, cooper and/or aluminum. Directly on the base metallurgy is a layer of cobalt. The structure may also include a layer of noble or relatively noble metal such as gold, platinum, palladium and/or tin directly on the cobalt.

摘要翻译： 公开了一种用于电子部件的多层冶金结构。 该结构包括基本冶金，其包括一层或多层铬，钛，锆，铪，铌，钼，钽，铜和/或铝。 直接在基础冶金上是一层钴。 该结构还可以包括贵金属或相对贵重的金属层，例如直接在钴上的金，铂，钯和/或锡。