公开(公告)号：US07301961B1

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：US10209142

申请日：2002-07-31

申请人： David V. James ,  Jagadeesan Rajamanickam

发明人： David V. James ,  Jagadeesan Rajamanickam

IPC分类号： H04J15/00 ,  G08C19/12 ,  H04L17/02 ,  G06F13/00

CPC分类号： G06F13/4217

摘要： A method and apparatus for configuring signal lines with idle codes is disclosed. According to one embodiment, data transmission system (100) may include encoders (112, 114, 116 and 118) that transmit data over signal line lanes (Lane 0 to Lane n). In an idle state, an encoder (112, 114, 116 and 118) may output one of at least two idle codes (IDLE A and IDLE B). One idle code (IDLE A) may indicate a first lane of a group of lanes. Another idle code (IDLE B) may indicate subsequent lanes of a group of lanes.

摘要翻译： 公开了一种用于配置具有空闲码的信号线的方法和装置。 根据一个实施例，数据传输系统（100）可以包括通过信号线路（车道0至车道n）发送数据的编码器（112,114,116和118）。 在空闲状态下，编码器（112,114,116和118）可以输出至少两个空闲代码（空闲A和空闲B）中的一个。 一个空闲代码（IDLE A）可以指示一组车道的第一车道。 另一个空闲代码（IDLE B）可以指示一组车道的后续车道。

公开(公告)号：US07670963B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11904513

申请日：2007-09-26

申请人： Krishnaswamy Ramkumar ,  Sagy Levy

发明人： Krishnaswamy Ramkumar ,  Sagy Levy

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833 ,  Y10S438/954

摘要： A method for fabricating a nonvolatile charge trap memory device is described. The method includes first forming a tunnel dielectric layer on a substrate in a first process chamber of a single-wafer cluster tool. A charge-trapping layer is then formed on the tunnel dielectric layer in a second process chamber of the single-wafer cluster tool. A top dielectric layer is then formed on the charge-trapping layer in the second or in a third process chamber of the single-wafer cluster tool.

摘要翻译： 描述了制造非易失性电荷陷阱存储器件的方法。 该方法包括首先在单晶片簇工具的第一处理室中的衬底上形成隧道电介质层。 然后在单晶片簇工具的第二处理室中的隧道介电层上形成电荷捕获层。 然后在单晶片簇工具的第二或第三处理室中的电荷俘获层上形成顶部电介质层。