公开(公告)号：US07978510B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US12395695

申请日：2009-03-01

申请人： Dharmendra S. Modha ,  Stuart S. P. Parkin

发明人： Dharmendra S. Modha ,  Stuart S. P. Parkin

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C11/54 ,  G06N3/049 ,  G06N3/0635 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0007

摘要： An active memory element is provided. A bipolar memory two-terminal element includes polarity-dependent switching. A probability of switching of the bi-polar memory element between a first state and a second state decays exponentially based on time delay and a difference between received signals at the two terminals and a switching threshold magnitude.

摘要翻译： 提供有源存储元件。 双极存储器双端元件包括极性依赖的开关。 双极存储元件在第一状态和第二状态之间切换的概率基于时间延迟和两个终端处的接收信号之间的差异以及切换阈值大小而衰减。