公开(公告)号：US20060138086A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11023862

申请日：2004-12-28

申请人： Sarah Lane ,  Andrew Lawing ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

发明人： Sarah Lane ,  Andrew Lawing ,  Brian Mueller ,  Charles Yu

IPC分类号： C03C15/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/461 ,  B44C1/22

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L22/26

摘要： The present invention provides a method for polishing silica and silicon nitride on a semiconductor wafer comprising the steps of planarizing the silica with a first aqueous composition comprising by weight percent 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.02 to 6 abrasive, 0.01 to 10 polyvinylpyrrolidone, 0 to 5 cationic compound, 0 to 1 phthalic acid and salts, 0 to 5 zwitterionic compound and balance water, wherein the polyvinylpyrrolidone has an average molecular weight between 100 grams/mole to 1,000,000 grams/mole. The method further provides detecting an endpoint to the planarization, and clearing the silica with a second aqueous composition comprising by weight percent 0.001 to 1 quaternary ammonium compound, 0.001 to 1 phthalic acid and salts thereof, 0.01 to 5 carboxylic acid polymer, 0.01 to 5 abrasive and balance water.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在半导体晶片上研磨二氧化硅和氮化硅的方法，包括以下步骤：用第一含水组合物对二氧化硅进行平面化，所述第一含水组合物包含0.01-5重量％的羧酸聚合物，0.02至6个研磨剂，0.01至10个聚乙烯吡咯烷酮，0 至5个阳离子化合物，0-1个邻苯二甲酸和盐，0-5个两性离子化合物和余量的水，其中聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量为100克/摩尔至1,000,000克/摩尔。 该方法还提供了检测平面化的终点，并用第二含水组合物清除二氧化硅，所述第二含水组合物包含重量百分比为0.001至1的季铵化合物，0.001至1邻苯二甲酸及其盐，0.01至5羧酸聚合物，0.01至5 研磨和平衡水。