公开(公告)号：US6361661B2

公开(公告)日：2002-03-26

申请号：US85794497

申请日：1997-05-16

申请人： APPLIES MATERIALS INC

发明人： HONG LIUBO

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC分类号： H01J37/321 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/358 ,  H01J37/3408

摘要： A sputtering hybrid coil for a plasma chamber in a semiconductor fabrication has an enhanced sputtering surface and an internal coolant carrying channel thermally coupled to the sputtering surface to cool the sputtering surface and the coil.

摘要翻译： 用于半导体制造中的等离子体室的溅射混合线圈具有增强的溅射表面和与溅射表面热耦合以冷却溅射表面和线圈的内部冷却剂承载通道。

公开(公告)号：US20030176058A1

公开(公告)日：2003-09-18

申请号：US10101540

申请日：2002-03-18

申请人： Applies Materials, Inc.

发明人： Timothy Weidman ,  Nikolaos Bekiaris ,  Josephine Chang ,  Phong H. Nguyen

IPC分类号： H01L021/4763

CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829

摘要： A method of forming a dual damascene structure on a substrate having a dielectric layer already formed thereon. In one embodiment the method includes depositing a first hard mask layer over the dielectric layer and depositing a second hard mask layer on the first hard mask layer, where the second hard mask layer is an amorphous silicon layer. Afterwards, formation of the dual damascene structure is completed by etching a metal wiring pattern and a via pattern in the dielectric layer and filling the etched metal wiring pattern and via pattern with a conductive material.

摘要翻译： 在其上已经形成有电介质层的基板上形成双镶嵌结构的方法。 在一个实施例中，该方法包括在电介质层上沉积第一硬掩模层，并在第一硬掩模层上沉积第二硬掩模层，其中第二硬掩模层是非晶硅层。 然后，通过在电介质层中蚀刻金属布线图案和通孔图案并用导电材料填充蚀刻的金属布线图案和通孔图案来完成双镶嵌结构的形成。