公开(公告)号：US4321612A

公开(公告)日：1982-03-23

申请号：US109080

申请日：1980-01-02

申请人： Eiji Murata ,  Hideaki Izumi ,  Atuko Sugawara ,  Susumu Okano

发明人： Eiji Murata ,  Hideaki Izumi ,  Atuko Sugawara ,  Susumu Okano

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/48

CPC分类号： H01L21/316 ,  H01L29/475

摘要： A Schottky barrier type compound semiconductor device includes an N type compound semiconductor substrate, an insulation layer having a penetrating hole through which part of the substrate is exposed, and a layer of high melting metal formed through the penetrating hole to form a Schottky barrier with the substrate. The insulation layer includes a phosphosilicate glass layer containing phosphorus at a concentration of 1.times.10.sup.21 /cm.sup.3 or more and contacting the substrate.

摘要翻译： 肖特基势垒型化合物半导体器件包括N型化合物半导体衬底，具有暴露基板的一部分的贯通孔的绝缘层和通过贯通孔形成的形成肖特基势垒的高熔点金属层， 基质。 绝缘层包括含有浓度为1×10 21 / cm 3以上的磷并与基板接触的磷硅酸盐玻璃层。