公开(公告)号：US20120027956A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US12846050

申请日：2010-07-29

申请人： Daewon Yang ,  Anthony Gene Domenicucci ,  Aurelia Suwarno-Handayana ,  Shamas Musthafa Ummer

发明人： Daewon Yang ,  Anthony Gene Domenicucci ,  Aurelia Suwarno-Handayana ,  Shamas Musthafa Ummer

IPC分类号： H05H1/24 ,  C25F3/00

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56

摘要： A method of forming a nitride film is disclosed. In one embodiment, the method comprises performing an ending film deposition process that differs from the main film deposition process in terms of the flow rates of the reactive and ion source gases, and maintaining acceleration power of a CVD tool during the ending film deposition process. A post deposition process may also be used to remove a denser top layer of nitride, resulting in a nitride film having a consistent density.

摘要翻译： 公开了一种形成氮化物膜的方法。 在一个实施例中，该方法包括执行与主要成膜工艺不同的终止膜沉积工艺，就反应和离子源气体的流量而言，以及在终止膜沉积工艺期间保持CVD工具的加速能力。 后沉积工艺也可用于去除更致密的氮化物顶层，产生具有一致密度的氮化物膜。