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1.发明授权Method for preparing Ge1-x-ySnxEy (E=P, As, Sb) semiconductors and related Si-Ge-Sn-E and Si-Ge-E analogs 有权Ge1-x-ySnxEy（E = P，As，Sb）半导体及相关Si-Ge-Sn-E和Si-Ge-E类似物的制备方法公开(公告)号：US07238596B2
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：US10559980
申请日：2004-06-14
申请人： John Kouvetakis , Matthew Bauer , John Tolle , Candi Cook
发明人： John Kouvetakis , Matthew Bauer , John Tolle , Candi Cook
CPC分类号： H01L21/2252 , C23C16/22 , C30B25/02 , C30B29/08 , C30B29/52
摘要： A process for is provided for synthesizing a compound having the formula E(GeH3)3 wherein E is selected from the group consisting of arsenic (As), antimony (Sb) and phosphorus (P). GeH3Br and [CH3)3Si]3E are combined under conditions whereby E(GeH3)3 is obtained. The E(GeH3)3 is purified by trap-to-trap fractionation. Yields from about 70% to about 76% can be obtained. The E(GeH3)3 can be used as a gaseous precursor for doping a region of a semiconductor material comprising Ge, SnGe, SiGe and SiGeSn in a chemical vapor deposition reaction chamber.
摘要翻译： 提供了用于合成具有式E（GeH 3 3）3的化合物的方法，其中E选自砷（As），锑（Sb） 和磷（P）。 GeH 3 Br和[CH 3 3] 3 Si] 3 E在条件下合并，其中E（GeH 3） 3＆lt; 3＆gt; 3＆lt; 3＆gt;。 通过捕获阱捕获分级分离纯化E（GeH 3 N 3）3。 可以获得约70％至约76％的产率。 E（GeH 3 3）3 3可以用作在化学气相沉积反应中掺杂包含Ge，SnGe，SiGe和SiGeSn的半导体材料的区域的气态前体 房间。
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2.发明申请Method for preparing ge1-x-ysnxey (e=p, as, sb) semiconductors and related si-ge-sn-e and si-ge-e analogs 有权制备ge1-x-ysnxey（e = p，as，sb）半导体及相关si-ge-sn-e和si-ge-e类似物的方法公开(公告)号：US20060134895A1
公开(公告)日：2006-06-22
申请号：US10559980
申请日：2004-06-14
申请人： John Kouvetakis , Matthew Bauer , John Tolle , Candi Cook
发明人： John Kouvetakis , Matthew Bauer , John Tolle , Candi Cook
IPC分类号： H01L21/22
CPC分类号： H01L21/2252 , C23C16/22 , C30B25/02 , C30B29/08 , C30B29/52
摘要： A process for is provided for synthesizing a compound having the formula E(GeH3)3 wherein E is selected from the group consisting of arsenic (As), antimony (Sb) and phosphorus (P). GeH3Br and [CH3)3Si]3E are combined under conditions whereby E(GeH3)3 is obtained. The E(GeH3)3 is purified by trap-to-trap fractionation. Yields from about 70% to about 76% can be obtained. The E(GeH3)3 can be used as a gaseous precursor for doping a region of a semiconductor material comprising Ge, SnGe, SiGe and SiGeSn in a chemical vapor deposition reaction chamber.
摘要翻译： 提供了用于合成具有式E（GeH 3 3）3的化合物的方法，其中E选自砷（As），锑（Sb） 和磷（P）。 GeH 3 Br和[CH 3 3] 3 Si] 3 E在条件下合并，其中E（GeH 3） 3＆lt; 3＆gt; 3＆lt; 3＆gt;。 通过捕获阱捕获分级分离纯化E（GeH 3 N 3）3。 可以获得约70％至约76％的产率。 E（GeH 3 3）3 3可以用作在化学气相沉积反应中掺杂包含Ge，SnGe，SiGe和SiGeSn的半导体材料的区域的气态前体 房间。
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