公开(公告)号：US08465662B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US12887026

申请日：2010-09-21

申请人： Jung Hun Lim ,  Dae Hyun Kim ,  Chang Jin Yoo ,  Seong Hwan Park

发明人： Jung Hun Lim ,  Dae Hyun Kim ,  Chang Jin Yoo ,  Seong Hwan Park

IPC分类号： C03C15/00

CPC分类号： H01L21/31111 ,  C09K13/08

摘要： Provided is an etching composition for electively removing silicon dioxide at a high etch rate, more particularly, a composition for wet etching of silicon dioxide, including 1 to 40 wt % of hydrogen fluoride (HF); 5 to 40 wt % of ammonium hydrogen fluoride (NH4HF2); and water, and further including a surfactant to improve selectivity of the silicon dioxide and a silicon nitride film. Since the composition for wet etching of silicon dioxide has the high etch selectivity of the silicon dioxide to the silicon nitride film, it is useful for selectively removing silicon dioxide.

摘要翻译： 本发明提供一种用于以高蚀刻速率电除去二氧化硅的蚀刻组合物，更具体地，涉及含有1〜40重量％氟化氢（HF）的二氧化硅湿蚀刻用组合物。 5〜40重量％的氟化氢铵（NH4HF2）; 和水，并且还包括表面活性剂以提高二氧化硅和氮化硅膜的选择性。 由于用于二氧化硅的湿法蚀刻的组合物具有二氧化硅对氮化硅膜的高蚀刻选择性，因此有选择地除去二氧化硅。

公开(公告)号：US20120070998A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US12887026

申请日：2010-09-21

申请人： Jung Hun Lim ,  Dae Hyun Kim ,  Chang Jin Yoo ,  Seong Hwan Park

发明人： Jung Hun Lim ,  Dae Hyun Kim ,  Chang Jin Yoo ,  Seong Hwan Park

IPC分类号： H01L21/306 ,  C09K13/00

CPC分类号： H01L21/31111 ,  C09K13/08

摘要： Provided is an etching composition for electively removing silicon dioxide at a high etch rate, more particularly, a composition for wet etching of silicon dioxide, including 1 to 40 wt % of hydrogen fluoride (HF); 5 to 40 wt % of ammonium hydrogen fluoride (NH4HF2); and water, and further including a surfactant to improve selectivity of the silicon dioxide and a silicon nitride film. Since the composition for wet etching of silicon dioxide has the high etch selectivity of the silicon dioxide to the silicon nitride film, it is useful for selectively removing silicon dioxide.

摘要翻译： 本发明提供一种用于以高蚀刻速率电除去二氧化硅的蚀刻组合物，更具体地，涉及含有1〜40重量％氟化氢（HF）的二氧化硅湿蚀刻用组合物。 5〜40重量％的氟化氢铵（NH4HF2）; 和水，并且还包括表面活性剂以提高二氧化硅和氮化硅膜的选择性。 由于用于二氧化硅的湿法蚀刻的组合物具有二氧化硅对氮化硅膜的高蚀刻选择性，因此有选择地除去二氧化硅。