公开(公告)号：US20080233710A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11689264

申请日：2007-03-21

申请人： Chao-Shun Hsu ,  Chen-Yao Tang ,  Clinton Chao ,  Mark Shane Peng

发明人： Chao-Shun Hsu ,  Chen-Yao Tang ,  Clinton Chao ,  Mark Shane Peng

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L25/0655 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12229 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a single die includes forming at least one first active device over a first substrate and at least one first metallic layer coupled to the first active device. At least one second metallic layer is formed over a second substrate, wherein the second substrate does not include any active device The at least one fist metallic layer is bonded with the at least one second metallic layer such that the first substrate and the second substrate constitute a single die.

摘要翻译： 用于形成单个管芯的方法包括在第一衬底上形成至少一个第一有源器件以及耦合到第一有源器件的至少一个第一金属层。 在第二衬底上形成至少一个第二金属层，其中第二衬底不包括任何有源器件。至少一个第一金属层与至少一个第二金属层结合，使得第一衬底和第二衬底构成 一个单一的死亡。

公开(公告)号：US07795735B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11689264

申请日：2007-03-21

申请人： Chao-Shun Hsu ,  Chen-Yao Tang ,  Clinton Chao ,  Mark Shane Peng

发明人： Chao-Shun Hsu ,  Chen-Yao Tang ,  Clinton Chao ,  Mark Shane Peng

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L21/46 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L25/0655 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12229 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a single die includes forming at least one first active device over a first substrate and at least one first metallic layer coupled to the first active device. At least one second metallic layer is formed over a second substrate, wherein the second substrate does not include any active device. The at least one first metallic layer is bonded with the at least one second metallic layer such that the first substrate and the second substrate constitute a single die.

摘要翻译： 用于形成单个管芯的方法包括在第一衬底上形成至少一个第一有源器件以及耦合到第一有源器件的至少一个第一金属层。 在第二衬底上形成至少一个第二金属层，其中第二衬底不包括任何有源器件。 所述至少一个第一金属层与所述至少一个第二金属层接合，使得所述第一基板和所述第二基板构成单个管芯。