公开(公告)号：US20090065893A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US11876489

申请日：2007-10-22

申请人： Chi-Huang Wu ,  Chien-Jung Yang

发明人： Chi-Huang Wu ,  Chien-Jung Yang

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4236

摘要： A semiconductor device and fabrication method thereof is disclosed. The method includes the steps of providing a substrate with a trench and a stacked layer thereon, performing an epitaxy process to form an epitaxial layer in the trench, conformably depositing an oxide layer on the epitaxial layer, and removing a portion of the oxide layer and the epitaxial layer on the bottom of the trench.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件及其制造方法。 该方法包括以下步骤：在其上提供具有沟槽和堆叠层的衬底，执行外延工艺以在沟槽中形成外延层，在外延层上顺应地沉积氧化物层，以及去除一部分氧化物层和 沟槽底部的外延层。