公开(公告)号：US20140042612A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13569017

申请日：2012-08-07

申请人： Christianto Chih-Ching Liu ,  Shuo-Mao Chen ,  Der-Chyang Yeh ,  Shang-Yun Hou ,  Shin-Puu Jeng

发明人： Christianto Chih-Ching Liu ,  Shuo-Mao Chen ,  Der-Chyang Yeh ,  Shang-Yun Hou ,  Shin-Puu Jeng

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0215 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor devices and methods of manufacture thereof are disclosed. In an embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device includes forming a first conductive structure over a workpiece in a first metallization layer, the first conductive structure including a first portion having a first width and a second portion having a second width. The second width is different than the first width. The method includes forming a second conductive structure in a second metallization layer proximate the first metallization layer, and coupling a portion of the second conductive structure to the first portion of the first conductive structure.

摘要翻译： 公开了半导体器件及其制造方法。 在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括在第一金属化层中在工件上形成第一导电结构，第一导电结构包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分。 第二宽度与第一宽度不同。 该方法包括在靠近第一金属化层的第二金属化层中形成第二导电结构，以及将第二导电结构的一部分耦合到第一导电结构的第一部分。

公开(公告)号：US08937389B2

公开(公告)日：2015-01-20

申请号：US13569017

申请日：2012-08-07

申请人： Christianto Chih-Ching Liu ,  Shuo-Mao Chen ,  Der-Chyang Yeh ,  Shang-Yun Hou ,  Shin-Puu Jeng

发明人： Christianto Chih-Ching Liu ,  Shuo-Mao Chen ,  Der-Chyang Yeh ,  Shang-Yun Hou ,  Shin-Puu Jeng

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/4763 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H05K1/02

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0215 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor devices and methods of manufacture thereof are disclosed. In an embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device includes forming a first conductive structure over a workpiece in a first metallization layer, the first conductive structure including a first portion having a first width and a second portion having a second width. The second width is different than the first width. The method includes forming a second conductive structure in a second metallization layer proximate the first metallization layer, and coupling a portion of the second conductive structure to the first portion of the first conductive structure.

摘要翻译： 公开了半导体器件及其制造方法。 在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括在第一金属化层中在工件上形成第一导电结构，第一导电结构包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分。 第二宽度与第一宽度不同。 该方法包括在靠近第一金属化层的第二金属化层中形成第二导电结构，以及将第二导电结构的一部分耦合到第一导电结构的第一部分。