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1.发明授权公开(公告)号：US08995490B2
公开(公告)日：2015-03-31
申请号：US13821186
申请日：2011-09-07
CPC分类号： H01S5/2202 , H01S5/0425 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S2301/176
摘要： An edge-emitting semiconductor laser diode includes an epitactic semiconductor layer stack and a planarization layer. The semiconductor layer stack includes a main body and a ridge waveguide. The main body includes an active layer for generating electromagnetic radiation. The planarization layer embeds the ridge waveguide such that a surface of the ridge waveguide and a surface of the planarization layer form a flat main surface. A method for producing such a semiconductor laser diode is also disclosed.
摘要翻译： 边缘发射半导体激光二极管包括外延半导体层堆叠和平坦化层。 半导体层堆叠包括主体和脊状波导。 主体包括用于产生电磁辐射的有源层。 平坦化层嵌入脊状波导，使得脊状波导的表面和平坦化层的表面形成平坦的主表面。 还公开了一种用于制造这种半导体激光二极管的方法。
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2.发明申请公开(公告)号：US20130230068A1
公开(公告)日：2013-09-05
申请号：US13821186
申请日：2011-09-07
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/2202 , H01S5/0425 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S2301/176
摘要： An edge-emitting semiconductor laser diode includes an epitactic semiconductor layer stack and a planarization layer. The semiconductor layer stack includes a main body and a ridge waveguide. The main body includes an active layer for generating electromagnetic radiation. The planarization layer embeds the ridge waveguide such that a surface of the ridge waveguide and a surface of the planarization layer form a flat main surface. A method for producing such a semiconductor laser diode is also disclosed.
摘要翻译： 边缘发射半导体激光二极管包括外延半导体层堆叠和平坦化层。 半导体层堆叠包括主体和脊状波导。 主体包括用于产生电磁辐射的有源层。 平坦化层嵌入脊状波导，使得脊状波导的表面和平坦化层的表面形成平坦的主表面。 还公开了一种用于制造这种半导体激光二极管的方法。
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