公开(公告)号：US08043919B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US11938506

申请日：2007-11-12

申请人： Tai-Ju Chen ,  Tung-Hsing Lee ,  Da-Kung Lo

发明人： Tai-Ju Chen ,  Tung-Hsing Lee ,  Da-Kung Lo

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： A method of fabricating a semiconductor device is provided. A gate structure is formed on a substrate and then a first spacer is formed at a sidewall of the gate structure. Next, recesses are respectively formed in the substrate at two sides of the first spacer. Thereafter, a buffer layer and a doped semiconductor compound layer are formed in each recess. An extra implantation region is respectively formed on the surfaces of each buffer layer and each doped semiconductor compound layer. Afterward, source/drain contact regions are formed in the substrate at two sides of the gate structure.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 栅极结构形成在衬底上，然后在栅极结构的侧壁处形成第一间隔物。 接下来，在第一间隔物的两侧分别在基板上形成凹部。 此后，在每个凹部中形成缓冲层和掺杂的半导体化合物层。 在每个缓冲层和每个掺杂的半导体化合物层的表面上分别形成一个额外的注入区。 之后，在栅极结构的两侧在衬底中形成源极/漏极接触区域。

公开(公告)号：US20090124056A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US11938506

申请日：2007-11-12

申请人： Tai-Ju Chen ,  Tung-Hsing Lee ,  Da-Kung Lo

发明人： Tai-Ju Chen ,  Tung-Hsing Lee ,  Da-Kung Lo

IPC分类号： H01L21/8236

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： A method of fabricating a semiconductor device is provided. A gate structure is formed on a substrate and then a first spacer is formed at a sidewall of the gate structure. Next, recesses are respectively formed in the substrate at two sides of the first spacer. Thereafter, a buffer layer and a doped semiconductor compound layer are formed in each recess. An extra implantation region is respectively formed on the surfaces of each buffer layer and each doped semiconductor compound layer. Afterward, source/drain contact regions are formed in the substrate at two sides of the gate structure.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 栅极结构形成在衬底上，然后在栅极结构的侧壁处形成第一间隔物。 接下来，在第一间隔物的两侧分别在基板上形成凹部。 此后，在每个凹部中形成缓冲层和掺杂的半导体化合物层。 在每个缓冲层和每个掺杂的半导体化合物层的表面上分别形成一个额外的注入区。 之后，在栅极结构的两侧在衬底中形成源极/漏极接触区域。