公开(公告)号：US20130122712A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13656578

申请日：2012-10-19

申请人： Jong Mun KIM ,  Kenny Linh Doan ,  Li Ling ,  Jairaj Payyapilly ,  Daisuke Shimuzu ,  Srinivas D. Nemani ,  Thorsten B. Lill

发明人： Jong Mun KIM ,  Kenny Linh Doan ,  Li Ling ,  Jairaj Payyapilly ,  Daisuke Shimuzu ,  Srinivas D. Nemani ,  Thorsten B. Lill

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： Methods of etching HAR features in a dielectric layer are described. In one embodiment, a substrate is provided into an etch chamber. The substrate has a patterned mask disposed on a dielectric layer formed thereon where the patterned mask has openings. A gas mixture is provided into the etch chamber, the gas mixture includes CO, O2, a fluorocarbon gas, and an optional inert gas. A plasma is formed from the gas mixture. Features are etched in the dielectric layer through the openings in the presence of the plasma

摘要翻译： 描述了蚀刻介电层中的HAR特征的方法。 在一个实施例中，将衬底提供到蚀刻室中。 衬底具有设置在其上形成的电介质层上的图案化掩模，其中图案化掩模具有开口。 气体混合物被提供到蚀刻室中，气体混合物包括CO，O 2，碳氟化合物气体和任选的惰性气体。 从气体混合物形成等离子体。 在存在等离子体的情况下，通过开口在电介质层中蚀刻特征