公开(公告)号：US5115283A

公开(公告)日：1992-05-19

申请号：US530607

申请日：1990-05-30

申请人： Robert Blondeau ,  Daniel Rondt ,  Genevieve Glastre ,  Michel Krakowski

发明人： Robert Blondeau ,  Daniel Rondt ,  Genevieve Glastre ,  Michel Krakowski

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/042 ,  H01S5/227 ,  H01S5/40

CPC分类号： H01S5/4031 ,  H01L33/0062 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/227 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/2275

摘要： Disclosed is an optoelectronic device on a semi-insulator substrate, of the type comprising, stacked on one another, at least:one substrate made of semi-insulator material,one lower confinement layer with a first type of conductivity,at least one active layer in strip form, andan upper confinement layer with a second type of conductivity. In this device, the lower confinement layer covers one side of the semi-insulator substrate in passing beneath the active layer and coming to a stop substantially vertically to this active layer and the upper confinement layer covers the other side of the semi-insulator substrate in passing over the active layer and coming to a stop substantially vertically to this active layer. The disclosure can be applied notably to the fabrication of lasers.

摘要翻译： 公开了一种半绝缘体衬底上的光电子器件，其类型包括彼此层叠的至少一个：由半绝缘体材料制成的一个衬底，一个具有第一导电类型的下约束层，至少一个有源层 带状，以及具有第二类导电性的上约束层。 在该装置中，下部限制层覆盖半导体衬底的通过有源层下方的一侧并基本垂直于该有源层停止，并且上限制层覆盖半绝缘体衬底的另一侧 穿过有源层并大致垂直于该活性层停止。 本公开可以应用于激光器的制造。