公开(公告)号：US07226663B2

公开(公告)日：2007-06-05

申请号：US10522850

申请日：2003-07-31

申请人： Jun Jiao ,  David W. Tuggle ,  Lifeng Dong ,  Sean Foxley

发明人： Jun Jiao ,  David W. Tuggle ,  Lifeng Dong ,  Sean Foxley

IPC分类号： B32B9/00

CPC分类号： C04B35/6264 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/36 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/444 ,  C23C26/00 ,  C23C30/00 ,  H01J2209/0223 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/30

摘要： A method is disclosed for directly synthesizing nanoscale structures, particularly in defined locations. The method overcomes problems in nanoscale manufacturing by enabling the direct fabrication of composites useful for constructing electronic devices. In one aspect of the method, nanotubes and arrays of nanotubes are synthesized directly at defined locations useful for constructing electronic devices.

摘要翻译： 公开了用于直接合成纳米尺度结构的方法，特别是在限定位置。 该方法通过使得能够直接制造用于构建电子器件的复合材料来克服纳米级制造中的问题。 在该方法的一个方面，纳米管和纳米管阵列直接在用于构建电子器件的限定位置处合成。

公开(公告)号：US20080107892A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11809433

申请日：2007-05-31

申请人： Jun Jiao ,  David W. Tuggle ,  Lifeng Dong ,  Sean Foxley

发明人： Jun Jiao ,  David W. Tuggle ,  Lifeng Dong ,  Sean Foxley

IPC分类号： C01B31/02 ,  B32B5/00

CPC分类号： C04B35/6264 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/36 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/444 ,  C23C26/00 ,  C23C30/00 ,  H01J2209/0223 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/30

摘要： A method is disclosed for directly synthesizing nanoscale structures, particularly in defined locations. The method overcomes problems in nanoscale manufacturing by enabling the direct fabrication of composites useful for constructing electronic devices. In one aspect of the method, nanotubes and arrays of nanotubes are synthesized directly at defined locations useful for constructing electronic devices.

摘要翻译： 公开了用于直接合成纳米尺度结构的方法，特别是在限定位置。 该方法通过使得能够直接制造用于构建电子器件的复合材料来克服纳米级制造中的问题。 在该方法的一个方面，纳米管和纳米管阵列直接在用于构建电子器件的限定位置处合成。