公开(公告)号：US20120112290A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：US12942097

申请日：2010-11-09

申请人： Henry K. Utomo ,  Unoh Kwon ,  Dimitri Anastassios Levedakis ,  Ravikumar Ramachandran ,  Viraj Yashawant Sardesai ,  Rajasekhar Venigalla

发明人： Henry K. Utomo ,  Unoh Kwon ,  Dimitri Anastassios Levedakis ,  Ravikumar Ramachandran ,  Viraj Yashawant Sardesai ,  Rajasekhar Venigalla

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A structure and method for replacement metal gate (RMG) field effect transistors is disclosed. Silicide regions are formed on a raised source-drain (RSD) structure. The silicide regions form a chemical mechanical polish (CMP) stopping layer during a CMP process used to expose the gates prior to replacement. Protective layers are then applied and etched in the formation of metal contacts.

摘要翻译： 公开了一种替代金属栅极（RMG）场效应晶体管的结构和方法。 硅化物区域形成在升高的源极 - 漏极（RSD）结构上。 硅化物区域在用于在更换之前暴露栅极的CMP工艺期间形成化学机械抛光（CMP）停止层。 然后在金属触点的形成中施加和蚀刻保护层。

公开(公告)号：US08420491B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US12942097

申请日：2010-11-09

申请人： Henry K. Utomo ,  Unoh Kwon ,  Dimitri Anastassios Levedakis ,  Ravikumar Ramachandran ,  Viraj Yashawant Sardesai ,  Rajasekhar Venigalla

发明人： Henry K. Utomo ,  Unoh Kwon ,  Dimitri Anastassios Levedakis ,  Ravikumar Ramachandran ,  Viraj Yashawant Sardesai ,  Rajasekhar Venigalla

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A structure and method for replacement metal gate (RMG) field effect transistors is disclosed. Silicide regions are formed on a raised source-drain (RSD) structure. The silicide regions form a chemical mechanical polish (CMP) stopping layer during a CMP process used to expose the gates prior to replacement. Protective layers are then applied and etched in the formation of metal contacts.

摘要翻译： 公开了一种替代金属栅极（RMG）场效应晶体管的结构和方法。 硅化物区域形成在升高的源极 - 漏极（RSD）结构上。 硅化物区域在用于在更换之前暴露栅极的CMP工艺期间形成化学机械抛光（CMP）停止层。 然后在金属触点的形成中施加和蚀刻保护层。