公开(公告)号：US20080205153A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US12036416

申请日：2008-02-25

申请人： Oh Suk KWON ,  Sung Soo LEE ,  Duck Kyeun WOO

发明人： Oh Suk KWON ,  Sung Soo LEE ,  Duck Kyeun WOO

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C16/26 ,  G06F13/1647

摘要： A method and apparatus for controlling two or more non-volatile memory devices includes activating a read enable signal or a write enable signal, which is input to the first and second non-volatile memory devices, using a controller. A first chip enable signal is alternately activated for selecting the first non-volatile memory device and a second chip enable signal is activated for selecting the second non-volatile memory device using the controller. This is done while the read enable signal or the write enable signal is input to the first and second non-volatile memory devices being activated. Accordingly, even when the minimum cycle of the controller is longer than that of a memory device read/write time is reduced, thereby improving read/write performance.

摘要翻译： 用于控制两个或多个非易失性存储器件的方法和装置包括使用控制器激活输入到第一和第二非易失性存储器件的读使能信号或写使能信号。 交替激活第一芯片使能信号以选择第一非易失性存储器件，并激活第二芯片使能信号，以使用控制器选择第二非易失性存储器件。 这是在将读取使能信号或写入使能信号输入到被激活的第一和第二非易失性存储器件时完成的。 因此，即使当控制器的最小周期长于存储器件的最小周期时，读/写时间也减少，从而提高读/写性能。

公开(公告)号：US07738297B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US12036416

申请日：2008-02-25

申请人： Oh Suk Kwon ,  Sung Soo Lee ,  Duck Kyeun Woo

发明人： Oh Suk Kwon ,  Sung Soo Lee ,  Duck Kyeun Woo

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/26 ,  G06F13/1647

摘要： A method and apparatus for controlling two or more non-volatile memory devices includes activating a read enable signal or a write enable signal, which is input to the first and second non-volatile memory devices, using a controller. A first chip enable signal is alternately activated for selecting the first non-volatile memory device and a second chip enable signal is activated for selecting the second non-volatile memory device using the controller. This is done while the read enable signal or the write enable signal is input to the first and second non-volatile memory devices being activated. Accordingly, even when the minimum cycle of the controller is longer than that of a memory device read/write time is reduced, thereby improving read/write performance.

摘要翻译： 用于控制两个或多个非易失性存储器件的方法和装置包括使用控制器激活输入到第一和第二非易失性存储器件的读使能信号或写使能信号。 交替激活第一芯片使能信号以选择第一非易失性存储器件，并激活第二芯片使能信号，以使用控制器选择第二非易失性存储器件。 这是在将读取使能信号或写入使能信号输入到被激活的第一和第二非易失性存储器件时完成的。 因此，即使当控制器的最小周期长于存储器件的最小周期时，读/写时间也减少，从而提高读/写性能。