公开(公告)号：US20070177432A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：US11341983

申请日：2006-01-27

申请人： Edward Spall ,  Tyler Lowrey

发明人： Edward Spall ,  Tyler Lowrey

IPC分类号： G11C7/10

CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C13/0004 ,  G11C14/009

摘要： A non-volatile memory latch may be formed with a phase change memory layer. Such a latch may be faster and more easily integrated into main stream semiconductor processes than conventional latches that use non-volatile memory elements such as flash memory.

摘要翻译： 非易失性存储器锁存器可以形成有相变存储器层。 与使用诸如闪存等非易失性存储器元件的常规锁存器相比，这样的锁存器可以更快更容易地集成到主流半导体处理中。

公开(公告)号：US20060013034A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US11229955

申请日：2005-09-19

申请人： Tyler Lowrey ,  Guy Wicker ,  Edward Spall

发明人： Tyler Lowrey ,  Guy Wicker ,  Edward Spall

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2029/4402

摘要： A method of customizing an integrated circuit chip, comprising the steps of: providing an electronic circuit on said chip; providing a phase-change memory on the chip; storing information about said electronic circuit in the phase-change memory. A method of operating an optical display.

摘要翻译： 一种定制集成电路芯片的方法，包括以下步骤：在所述芯片上提供电子电路; 在芯片上提供相变存储器; 将关于所述电子电路的信息存储在相变存储器中。 一种操作光学显示器的方法。

公开(公告)号：US06567296B1

公开(公告)日：2003-05-20

申请号：US10041684

申请日：2001-10-24

申请人： Giulio Casagrande ,  Tyler Lowrey ,  Roberto Bez ,  Guy Wicker ,  Edward Spall ,  Stephen Hudgens ,  Wolodymyr Czubatyj

发明人： Giulio Casagrande ,  Tyler Lowrey ,  Roberto Bez ,  Guy Wicker ,  Edward Spall ,  Stephen Hudgens ,  Wolodymyr Czubatyj

IPC分类号： G11C1706

CPC分类号： G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72

摘要： A memory device including a plurality of memory cells, a plurality of insulated first regions of a first type of conductivity formed in a chip of semiconductor material, at least one second region of a second type of conductivity formed in each first region, a junction between each second region and the corresponding first region defining a unidirectional conduction access element for selecting a corresponding memory cell connected to the second region when forward biased, and at least one contact for contacting each first region; a plurality of access elements are formed in each first region, the access elements being grouped into at least one sub-set consisting of a plurality of adjacent access elements without interposition of any contact, and the memory device further includes means for forward biasing the access elements of each sub-set simultaneously.

摘要翻译： 一种存储器件，包括多个存储器单元，形成在半导体材料的芯片中的第一类型的导电性的多个绝缘的第一区域，在每个第一区域中形成的至少一个第二导电类型的第二区域， 每个第二区域和相应的第一区域限定单向传导访问元件，用于当正向偏置时选择连接到第二区域的对应的存储单元，以及用于接触每个第一区域的至少一个触点; 在每个第一区域中形成多个访问元件，所述访问元件被分组成由多个相邻的访问元件组成的至少一个子集，而不插入任何联系人，并且所述存储器设备还包括： 每个子集的元素同时进行。