公开(公告)号：US07501161B2

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：US10858267

申请日：2004-06-01

申请人： Li Hou ,  Qunhua Wang ,  Edwin Sum ,  John M. White

发明人： Li Hou ,  Qunhua Wang ,  Edwin Sum ,  John M. White

IPC分类号： H05H1/24 ,  C23C16/50

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32623

摘要： In a first aspect, a method is provided for use during plasma processing. The first method includes the steps of (1) placing a substrate on a substrate holder of a plasma chamber; (2) positioning a cover frame adjacent and below a perimeter of the substrate; and (3) employing the cover frame to reduce arcing during plasma processing within the plasma chamber. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面，提供了一种在等离子体处理期间使用的方法。 第一种方法包括以下步骤：（1）将衬底放置在等离子体室的衬底保持器上; （2）将盖框架定位在所述基板的周边附近和下方; 和（3）采用盖框架来减小等离子体室内的等离子体处理期间的电弧。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US20050266174A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US10858267

申请日：2004-06-01

申请人： Li Hou ,  Qunhua Wang ,  Edwin Sum ,  John White

发明人： Li Hou ,  Qunhua Wang ,  Edwin Sum ,  John White

IPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/00 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32623

摘要： In a first aspect, a method is provided for use during plasma processing. The first method includes the steps of (1) placing a substrate on a substrate holder of a plasma chamber; (2) positioning a cover frame adjacent and below a perimeter of the substrate; and (3) employing the cover frame to reduce arcing during plasma processing within the plasma chamber. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面，提供了一种在等离子体处理期间使用的方法。 第一种方法包括以下步骤：（1）将衬底放置在等离子体室的衬底保持器上; （2）将盖框架定位在所述基板的周边附近和下方; 和（3）采用盖框架来减小等离子体室内的等离子体处理期间的电弧。 提供了许多其他方面。