公开(公告)号：US06627553B1

公开(公告)日：2003-09-30

申请号：US09656020

申请日：2000-09-05

申请人： Fujimaro Ogata ,  Tsutomu Sugiyama ,  Kuniaki Miyahara

发明人： Fujimaro Ogata ,  Tsutomu Sugiyama ,  Kuniaki Miyahara

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/02063 ,  C11D3/042 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/33 ,  C11D11/0047

摘要： A composition for removing side wall which includes an aqueous solution containing both nitric acid and at least one of carboxylic acids selected from the group consisting of polycarboxylic acid, aminocarboxylic acid, and salts thereof; a method of removing side wall; and a process for producing a semiconductor device. Use of the composition is effective in removing side wall at a low temperature in a short time in semiconductor device production without corroding the wiring material, e.g., an aluminium alloy. Thus, a semiconductor device having an aluminium alloy wiring which has undergone substantially no corrosion can be efficiently produced.

摘要翻译： 一种用于除去侧壁的组合物，其包括含有硝酸和选自多元羧酸，氨基羧酸及其盐中的至少一种羧酸的水溶液; 一种去除侧壁的方法; 以及半导体装置的制造方法。 组合物的使用在不腐蚀布线材料（例如铝合金）的情况下，在半导体器件生产中在短时间内在低温下除去侧壁是有效的。 因此，可以有效地制造具有基本上没有腐蚀的铝合金布线的半导体器件。