公开(公告)号：US4731792A

公开(公告)日：1988-03-15

申请号：US948393

申请日：1986-12-30

申请人： Hirokazu Shimizu ,  Masahiro Kume ,  Masuru Wada ,  Kunio Itoh ,  Ken Hamada ,  Fumiko Tajiri

发明人： Hirokazu Shimizu ,  Masahiro Kume ,  Masuru Wada ,  Kunio Itoh ,  Ken Hamada ,  Fumiko Tajiri

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/223 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01S5/028 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/2232 ,  H01S5/2235

摘要： In a TRS (twin ridge substrate) type semiconductor laser, reflectivity at both facets of the resonator at the oscillation wavelength is selected to be higher than the reflectivity of the semiconductor crystal of the laser device, but smaller than 1, thereby stabilizing the light oscillation with a low S/N ratio.

摘要翻译： 在TRS（双脊衬底）型半导体激光器中，选择谐振器在振荡波长处的两个面处的反射率高于激光器件的半导体晶体的反射率，但小于1，从而稳定光振荡 S / N比低。