公开(公告)号：US20100048003A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12382326

申请日：2009-03-13

申请人： Doug Yong Sung ,  Vladimir Volynets ,  Andrey Ushakov ,  Min Joon Park ,  Han Soo Shin

发明人： Doug Yong Sung ,  Vladimir Volynets ,  Andrey Ushakov ,  Min Joon Park ,  Han Soo Shin

IPC分类号： H01L21/30 ,  C23C16/54 ,  C23F1/08 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32174 ,  H01J37/32091

摘要： A plasma processing apparatus using a capacitive coupled plasma (CCP) source requiring a low pressure range of about 25 mT or less and a method thereof are disclosed. Plasma source power may be applied in a pulse mode to either one of upper and lower electrodes in a chamber, which generates plasma and processes a semiconductor substrate, and plasma maintaining power may be continuously applied to the other of the upper and lower electrodes, such that a stable pulse plasma process may be performed in a low pressure range of about 25 mT or less.

摘要翻译： 公开了一种使用需要约25mT以下的低压范围的电容耦合等离子体（CCP）源的等离子体处理装置及其方法。 等离子体源功率可以以脉冲模式施加到室中的上电极和下电极中的任一个，其产生等离子体并处理半导体衬底，并且等离子体维持功率可以连续地施加到上电极和下电极中的另一个，例如 可以在约25mT或更低的低压范围内进行稳定的脉冲等离子体处理。