公开(公告)号：US20070280318A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11665286

申请日：2005-12-06

申请人： Susumu Yoshimoto ,  Hideki Matsubara ,  Hirohisa Saitou ,  Takashi Misaki ,  Fumitake Nakanishi ,  Hiroki Mori

发明人： Susumu Yoshimoto ,  Hideki Matsubara ,  Hirohisa Saitou ,  Takashi Misaki ,  Fumitake Nakanishi ,  Hiroki Mori

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01S5/105 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/14 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： A semiconductor laser device (1) includes: a substrate (3) having a principal plane (3a); a photonic crystal layer (7) having an epitaxial layer (2a) of gallium nitride formed on substrate (3) in a direction in which principal plane (3a) extends and a low refractive index material (2b) having a refractive index lower than that of epitaxial layer (2a); an n-type clad layer (4) formed on substrate (3); a p-type clad layer (6) formed on substrate (3); an active layer (5) that is interposed between n-type clad layer (4) and p-type clad layer (6) and emits light when a carrier is injected thereinto; and a GaN layer (12) that covers a region directly on photonic crystal layer (7). Thus, the semiconductor laser device can be manufactured without fusion.

摘要翻译： 半导体激光装置（1）包括：具有主平面（3a）的基板（3）; 具有在主平面（3a）延伸的方向上形成在衬底（3）上的氮化镓的外延层（2a）和具有折射率的低折射率材料（2b）的光子晶体层（7） 低于外延层（2a）; 形成在基板（3）上的n型覆盖层（4）; 形成在基板（3）上的p型覆盖层（6）; 介于n型覆盖层（4）和p型覆盖层（6）之间的有源层（5），并且在载体被注入时发射光; 以及覆盖直接在光子晶体层（7）上的区域的GaN层（12）。 因此，可以不融合地制造半导体激光装置。

公开(公告)号：US08605769B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US11665286

申请日：2005-12-06

申请人： Susumu Yoshimoto ,  Hideki Matsubara ,  Hirohisa Saitou ,  Takashi Misaki ,  Fumitake Nakanishi ,  Hiroki Mori

发明人： Susumu Yoshimoto ,  Hideki Matsubara ,  Hirohisa Saitou ,  Takashi Misaki ,  Fumitake Nakanishi ,  Hiroki Mori

IPC分类号： H01S3/08

CPC分类号： H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01S5/105 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/14 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： A semiconductor laser device includes: a substrate having a principal plane; a photonic crystal layer having an epitaxial layer of gallium nitride formed on substrate in a direction in which principal plane extends and a low refractive index material having a refractive index lower than that of epitaxial layer; an n-type clad layer formed on substrate; a p-type clad layer formed on substrate; an active layer that is interposed between n-type clad layer and p-type clad layer and emits light when a carrier is injected thereinto; and a GaN layer that covers a region directly on photonic crystal layer. Thus, the semiconductor laser device can be manufactured without fusion.

摘要翻译： 半导体激光装置包括：具有主平面的基板; 具有在主平面延伸的方向上形成在衬底上的氮化镓外延层和折射率低于外延层的低折射率材料的光子晶体层; 形成在基板上的n型覆层; 形成在基板上的p型覆层; 介于n型覆盖层和p型覆盖层之间的有源层，并且在载体被注入时发射光; 以及覆盖直接在光子晶体层上的区域的GaN层。 因此，可以不融合地制造半导体激光装置。