公开(公告)号：US20060154491A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US11034952

申请日：2005-01-13

申请人： Jun Xie ,  Hoon Yap ,  Chuin Yeap ,  Weoi Lok

发明人： Jun Xie ,  Hoon Yap ,  Chuin Yeap ,  Weoi Lok

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76801 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/76837

摘要： A two-step high density plasma-CVD process is described wherein the argon content in the film is controlled by using two different argon concentrations in the argon/silane/oxygen gas mixture used for generating the high density plasma. The first step deposition uses high argon concentration and low sputter etch-to-deposition (E/D) ratio. High E/D ratio maintains the gap openings without necking. In the second step, a lower argon concentration and lower E/D ratio are used. Since observed metal defects are caused by argon diffusion in the top 200-300 nm of the HDP-CVD film, by controlling argon concentration in the top part of the film (i.e. second step deposition) to a low value, a reduced number of metal defects are achieved.

摘要翻译： 描述了两步高密度等离子体CVD工艺，其中通过在用于产生高密度等离子体的氩/硅烷/氧气混合物中使用两种不同的氩浓度来控制膜中的氩含量。 第一步沉积使用高氩浓度和低溅射蚀刻至沉积（E / D）比。 高E / D比保持间隙开口没有颈缩。 在第二步中，使用较低的氩浓度和较低的E / D比。 由于观察到的金属缺陷是通过在HDP-CVD膜的顶部200-300nm的氩扩散引起的，通过将膜顶部的氩浓度（即第二步沉积）控制到低值，减少数量的金属 实现了缺陷。