公开(公告)号：US07754610B2

公开(公告)日：2010-07-13

申请号：US11445709

申请日：2006-06-02

申请人： Kyeong-Tae Lee ,  Jinhan Choi ,  Bi Jang ,  Shashank C. Deshmukh ,  Meihua Shen ,  Thorsten B. Lill ,  Jae Bum Yu

发明人： Kyeong-Tae Lee ,  Jinhan Choi ,  Bi Jang ,  Shashank C. Deshmukh ,  Meihua Shen ,  Thorsten B. Lill ,  Jae Bum Yu

IPC分类号： H01L21/302 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/32137

摘要： A method of plasma etching tungsten silicide over polysilicon particularly useful in fabricating flash memory having both a densely packed area and an open (iso) area requiring a long over etch due to microloading. Wafer biasing is decreased in the over etch. The principal etchant include NF3 and Cl2. Argon is added to prevent undercutting at the dense/iso interface. Oxygen and nitrogen oxidize any exposed silicon to increase etch selectivity and straightens the etch profile. SiCl4 may be added for additional selectivity.

摘要翻译： 在多晶硅上等离子体蚀刻钨硅化物的方法，特别可用于制造具有密集填充区域和开放（iso）区域的闪存，其需要由于微负载而长时间过蚀刻。 在过蚀刻中晶片偏置减小。 主要的蚀刻剂包括NF3和Cl2。 加入氩气以防止在密/异界面处的底切。 氧和氮氧化任何暴露的硅以提高蚀刻选择性并矫正蚀刻轮廓。 可以添加SiCl 4以获得额外的选择性。

公开(公告)号：US20070281479A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11513455

申请日：2006-08-31

申请人： Kyeong-Tae Lee ,  Jinhan Choi ,  Bi Jang ,  Shashank C. Deshmukh ,  Meihua Shen ,  Thorsten B. Lill ,  Jae Bum Yu

发明人： Kyeong-Tae Lee ,  Jinhan Choi ,  Bi Jang ,  Shashank C. Deshmukh ,  Meihua Shen ,  Thorsten B. Lill ,  Jae Bum Yu

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/40114

摘要： A method of plasma etching tungsten silicide over polysilicon particularly useful in fabricating flash memory having both a densely packed area and an open (iso) area requiring a long over etch due to microloading. Wafer biasing is decreased in the over etch. The principal etchant include NF3 and Cl2. Argon is added to prevent undercutting at the dense/iso interface. Oxygen and nitrogen oxidize any exposed silicon to increase etch selectivity and straightens the etch profile. SiCl4 as an example of a silicon and chlorine containing passivating gas may be added for additional selectivity.

摘要翻译： 在多晶硅上等离子体蚀刻钨硅化物的方法，特别可用于制造具有密集填充区域和开放（iso）区域的闪存，其需要由于微负载而长时间过蚀刻。 在过蚀刻中晶片偏置减小。 主要的蚀刻剂包括NF 3和Cl 2。 加入氩气以防止在密/异界面处的底切。 氧和氮氧化任何暴露的硅以提高蚀刻选择性并矫正蚀刻轮廓。 作为含硅和氯的钝化气体的实例，可以加入作为另外选择性的SiCl 4 Si 3。