公开(公告)号：US08497421B2

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：US13236859

申请日：2011-09-20

申请人： Yu-Li Tsai ,  Chih-Hung Wu ,  Jei-Li Ho

发明人： Yu-Li Tsai ,  Chih-Hung Wu ,  Jei-Li Ho

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544

摘要： A lift-off structure for substrate of a photoelectric device and method thereof, which making it possible to enable an etching solution to flow through not only external etch channel but also internal etch channel to etch a sacrificial layer in order to increase the overall etching speed and decrease the overall time of lifting a substrate off.

摘要翻译： 用于光电装置的基板的剥离结构及其方法，其使蚀刻溶液不仅能够流过外部蚀刻通道而且也可以通过内部蚀刻通道流过以蚀刻牺牲层，以便提高整个蚀刻速度 并减少提升衬底的总体时间。

公开(公告)号：US08575004B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US13273520

申请日：2011-10-14

申请人： Yu-Li Tsai ,  Chih-Hung Wu ,  Jei-Li Ho ,  Chao-Huei Huang ,  Min-De Yang

发明人： Yu-Li Tsai ,  Chih-Hung Wu ,  Jei-Li Ho ,  Chao-Huei Huang ,  Min-De Yang

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/30 ,  H01L33/641 ,  Y02E10/50

摘要： The present invention related to a lift-off structure adapted to a substrate having a photoelectric device, the structure comprising: a buffer layer, forming on the substrate; an upper sacrificial layer, forming on the buffer layer; an etch stop layer, forming on the upper sacrificial layer, and the photoelectric device structure forming on the etch stop layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种适用于具有光电器件的衬底的剥离结构，该结构包括：缓冲层，在衬底上形成; 形成在缓冲层上的上牺牲层; 在上牺牲层上形成的蚀刻停止层，以及形成在蚀刻停止层上的光电器件结构。

公开(公告)号：US20130048058A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13236859

申请日：2011-09-20

申请人： YU-LI TSAI ,  Chih-Hung Wu ,  Jei-Li Ho

发明人： YU-LI TSAI ,  Chih-Hung Wu ,  Jei-Li Ho

IPC分类号： H01L31/02

CPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544

摘要： A lift-off structure for substrate of a photoelectric device and method thereof, which making it possible to enable an etching solution to flow through not only external etch channel but also internal etch channel to etch a sacrificial layer in order to increase the overall etching speed and decrease the overall time of lifting a substrate off.

摘要翻译： 用于光电装置的基板的剥离结构及其方法，其使蚀刻溶液不仅能够流过外部蚀刻通道而且也可以通过内部蚀刻通道流过以蚀刻牺牲层，以便提高整个蚀刻速度 并减少提升衬底的总体时间。

公开(公告)号：US20120273815A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13273520

申请日：2011-10-14

申请人： YU-LI TSAI ,  Chih-Hung Wu ,  Jei-Li Ho ,  Chao-Huei Huang ,  Min-De Yang

发明人： YU-LI TSAI ,  Chih-Hung Wu ,  Jei-Li Ho ,  Chao-Huei Huang ,  Min-De Yang

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/00 ,  H01L27/14 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/30 ,  H01L33/641 ,  Y02E10/50

摘要： The present invention related to a lift-off structure adapted to a substrate having a photoelectric device, the structure comprising: a buffer layer, forming on the substrate; an upper sacrificial layer, forming on the buffer layer; an etch stop layer, forming on the upper sacrificial layer, and the photoelectric device structure forming on the etch stop layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种适用于具有光电器件的衬底的剥离结构，该结构包括：缓冲层，在衬底上形成; 形成在缓冲层上的上牺牲层; 在上牺牲层上形成的蚀刻停止层，以及形成在蚀刻停止层上的光电器件结构。