公开(公告)号：US08940634B2

公开(公告)日：2015-01-27

申请号：US13171657

申请日：2011-06-29

申请人： Brett H. Engel ,  Lindsey Hall ,  David F. Hilscher ,  Randolph F. Knarr ,  Steven R. Soss ,  Jin Z. Wallner

发明人： Brett H. Engel ,  Lindsey Hall ,  David F. Hilscher ,  Randolph F. Knarr ,  Steven R. Soss ,  Jin Z. Wallner

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming overlapping contacts in a semiconductor device includes forming a first contact in a dielectric layer; etching the dielectric layer to form a recess adjacent to the first contact and removing a top portion of the first contact while etching the dielectric layer, wherein a bottom portion of the first contact remains in the dielectric layer after the recess is formed in the dielectric layer; and forming a second contact in the recess adjacent to the bottom portion of the first contact and on top of a top surface of the bottom portion of the first contact.

摘要翻译： 在半导体器件中形成重叠触点的方法包括在电介质层中形成第一触点; 蚀刻电介质层以形成与第一接触相邻的凹部，并且在蚀刻介电层的同时去除第一接触的顶部，其中在电介质层中形成凹部之后第一接触的底部保留在电介质层中 ; 以及在与所述第一接触件的底部相邻的所述凹部中形成第二触点，并且在所述第一接触件的底部的顶表面的顶部上形成第二接触。

公开(公告)号：US20130001786A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13171657

申请日：2011-06-29

申请人： Brett H. Engel ,  Lindsey Hall ,  David F. Hilscher ,  Randolph F. Knarr ,  Steven R. Soss ,  Jin Z. Wallner

发明人： Brett H. Engel ,  Lindsey Hall ,  David F. Hilscher ,  Randolph F. Knarr ,  Steven R. Soss ,  Jin Z. Wallner

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming overlapping contacts in a semiconductor device includes forming a first contact in a dielectric layer; etching the dielectric layer to form a recess adjacent to the first contact and removing a top portion of the first contact while etching the dielectric layer, wherein a bottom portion of the first contact remains in the dielectric layer after the recess is formed in the dielectric layer; and forming a second contact in the recess adjacent to the bottom portion of the first contact and on top of a top surface of the bottom portion of the first contact.

摘要翻译： 在半导体器件中形成重叠触点的方法包括在电介质层中形成第一触点; 蚀刻电介质层以形成与第一接触相邻的凹部，并且在蚀刻介电层的同时去除第一接触的顶部，其中在电介质层中形成凹部之后第一接触的底部保留在电介质层中 ; 以及在与所述第一接触件的底部相邻的所述凹部中形成第二触点，并且在所述第一接触件的底部的顶表面的顶部上形成第二接触。