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1.发明申请公开(公告)号：US20110128770A1
公开(公告)日：2011-06-02
申请号：US12627234
申请日：2009-11-30
CPC分类号： G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0002 , G11C2013/0052 , G11C2013/0092
摘要： Subject matter disclosed herein relates to enhancing data storage density of a memory device.
摘要翻译： 本文公开的主题涉及增强存储器件的数据存储密度。
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2.发明授权公开(公告)号：US08184469B2
公开(公告)日：2012-05-22
申请号：US12627234
申请日：2009-11-30
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0002 , G11C2013/0052 , G11C2013/0092
摘要： A method for enhancing data storage may comprise storing two or more bits in a memory cell, wherein the stored bits may be characterized by two or more independent variables based, at least in part, on physical properties of the memory cell.
摘要翻译： 用于增强数据存储的方法可以包括在存储器单元中存储两个或多个位，其中存储的位可以由至少部分地基于存储单元的物理特性的两个或多个独立变量来表征。
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公开(公告)号：US08467239B2
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：US12958502
申请日：2010-12-02
申请人： Johannes A. Kalb , Brett E. Klehn
发明人： Johannes A. Kalb , Brett E. Klehn
IPC分类号： G11C11/09
CPC分类号： G11C13/0097 , G11C13/0004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0092
摘要： A phase change memory (PCM) device utilizes low energy pulses to write data to PCM storage elements (cells). Methods, devices and systems are described that use low energy reset pulses to reset cells that have been previously set using a method that keeps a portion of the PCM cells in an amorphous phase. The reset is reversible by utilizing a low energy set pulse.
摘要翻译： 相变存储器（PCM）器件利用低能量脉冲将数据写入PCM存储元件（单元）。 描述了使用低能量复位脉冲来复位已经使用将一部分PCM单元保持在非晶相的方法预先设定的单元的方法，装置和系统。 通过利用低能量设定脉冲可以实现复位。
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公开(公告)号：US08437182B2
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：US12958502
申请日：2010-12-02
申请人： Johannes A. Kalb , Brett E. Klehn
发明人： Johannes A. Kalb , Brett E. Klehn
IPC分类号： G11C11/09
摘要： A phase change memory (PCM) device utilizes low energy pulses to write data to PCM storage elements (cells). Methods, devices and systems are described that use low energy reset pulses to reset cells that have been previously set using a method that keeps a portion of the PCM cells in an amorphous phase. The reset is reversible by utilizing a low energy set pulse.
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公开(公告)号：US20120140553A1
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：US12958502
申请日：2010-12-02
申请人： Johannes A. Kalb , Brett E. Klehn
发明人： Johannes A. Kalb , Brett E. Klehn
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： G11C13/0097 , G11C13/0004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0092
摘要： A phase change memory (PCM) device utilizes low energy pulses to write data to PCM storage elements (cells). Methods, devices and systems are described that use low energy reset pulses to reset cells that have been previously set using a method that keeps a portion of the PCM cells in an amorphous phase. The reset is reversible by utilizing a low energy set pulse.
摘要翻译： 相变存储器（PCM）器件利用低能量脉冲将数据写入PCM存储元件（单元）。 描述了使用低能量复位脉冲来复位已经使用将一部分PCM单元保持在非晶相的方法预先设定的单元的方法，装置和系统。 通过利用低能量设定脉冲可以实现复位。
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