公开(公告)号：US1410818A

公开(公告)日：1922-03-28

申请号：US44117321

申请日：1921-01-31

申请人： JOHN A GAY

发明人： MCCARGAR ELMER E

IPC分类号： A47J37/10

CPC分类号： A47J37/10

公开(公告)号：US5667852A

公开(公告)日：1997-09-16

申请号：US619718

申请日：1996-09-03

申请人： Pavel P. Kulik ,  Vladimir V. Ivanov ,  Eugenia N. Zornia ,  John A. Gay

发明人： Pavel P. Kulik ,  Vladimir V. Ivanov ,  Eugenia N. Zornia ,  John A. Gay

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  C30B25/10 ,  B05D3/06

CPC分类号： C23C16/276 ,  C23C16/26 ,  C30B25/105 ,  Y10S427/106

摘要： The invention relates to electronics and optical industry technology. Deposition of diamond and diamond-like films is performed in a plasma flux at atmospheric pressure at a temperature T=10.sup.4 .degree. K. A mixture of hydrocarbons and hydrogen is fed to a plasma flux formed by the confluence of a plurality of jets. As a result of the processes occurring in the plasma flux, there is deposited on the substrate a diamond or diamond-like film having a high degree of adhesion to the substrate, at a rate of 1 micron/sec, which substantially exceeds the rate of deposition of similar films by known methods.

摘要翻译： PCT No.PCT / EP94 / 03160 Sec。 371日期1996年9月3日 102（e）1996年9月3日PCT PCT 1994年9月21日PCT公布。 公开号WO95 / 08657 1995年3月30日发明涉及电子和光学工业技术。 金刚石和类金刚石膜的沉积在大气压下在T = 104°K的温度下进行。碳氢化合物和氢气的混合物被供给到由多个射流的汇合形成的等离子体通量。 作为在等离子体通量中发生的过程的结果，在衬底上以1微米/秒的速率在衬底上沉积具有高度粘附性的金刚石或类金刚石薄膜，其速度基本上超过了 通过已知方法沉积类似的膜。