公开(公告)号：US20140011357A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：US13610913

申请日：2012-09-12

申请人： Jung-Yuan Hsieh ,  Shih-Hsi Chen ,  Jin-Ren Han

发明人： Jung-Yuan Hsieh ,  Shih-Hsi Chen ,  Jin-Ren Han

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L27/11524 ,  H01L21/76802

摘要： A method for forming a contact window includes: a step of providing a substrate; a step of forming a patterned amorphous carbon layer or spin-on coating layer, in which a surface of the substrate is exposed at two sides of the amorphous carbon layer or spin-on coating layer; a step of forming an interlayer dielectric layer on the substrate; a step of removing a portion of the interlayer dielectric layer until the patterned amorphous carbon layer or spin-on coating layer is exposed; a step of removing the patterned amorphous carbon layer or spin-on coating layer to form an opening; and a step of filling the opening with a conductive material to form the contact window.

摘要翻译： 一种形成接触窗的方法包括：提供衬底的步骤; 形成图案化的无定形碳层或旋涂层的步骤，其中基板的表面在非晶碳层或旋涂层的两侧露出; 在基板上形成层间电介质层的工序; 除去图案化的无定形碳层或旋涂层的一部分去除层间电介质层的一部分， 去除图案化的无定形碳层或旋涂层以形成开口的步骤; 以及用导电材料填充开口以形成接触窗的步骤。

公开(公告)号：US20100081273A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12242850

申请日：2008-09-30

申请人： Jung-Yuan Hsieh ,  Yung-Ching Chen

发明人： Jung-Yuan Hsieh ,  Yung-Ching Chen

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76885 ,  H01L21/76877

摘要： A method for fabricating a conductive pattern including following steps is provided. A first conductive layer is formed on a substrate. A patterned hard mask layer is formed on the first conductive layer. A portion of the first conductive layer is removed to expose a portion of the substrate by using the patterned hard mask layer as a mask. A dielectric layer covering the patterned hard mask layer is formed on the substrate. A portion of the dielectric layer is removed to expose the patterned hard mask layer. The patterned hard mask layer is removed to form an opening in the dielectric layer. A second conductive layer is formed in the opening.

摘要翻译： 提供一种制造包括以下步骤的导电图案的方法。 在基板上形成第一导电层。 图案化的硬掩模层形成在第一导电层上。 通过使用图案化的硬掩模层作为掩模，去除第一导电层的一部分以露出衬底的一部分。 覆盖图案化的硬掩模层的电介质层形成在衬底上。 去除介电层的一部分以暴露图案化的硬掩模层。 图案化的硬掩模层被去除以在介电层中形成开口。 在开口中形成第二导电层。

公开(公告)号：US08722538B2

公开(公告)日：2014-05-13

申请号：US13610913

申请日：2012-09-12

申请人： Jung-Yuan Hsieh ,  Shih-Hsi Chen ,  Jin-Ren Han

发明人： Jung-Yuan Hsieh ,  Shih-Hsi Chen ,  Jin-Ren Han

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L27/11524 ,  H01L21/76802

摘要： A method for forming a contact window includes: a step of providing a substrate; a step of forming a patterned amorphous carbon layer or spin-on coating layer, in which a surface of the substrate is exposed at two sides of the amorphous carbon layer or spin-on coating layer; a step of forming an interlayer dielectric layer on the substrate; a step of removing a portion of the interlayer dielectric layer until the patterned amorphous carbon layer or spin-on coating layer is exposed; a step of removing the patterned amorphous carbon layer or spin-on coating layer to form an opening; and a step of filling the opening with a conductive material to form the contact window.

摘要翻译： 一种形成接触窗的方法包括：提供衬底的步骤; 形成图案化的无定形碳层或旋涂层的步骤，其中基板的表面在非晶碳层或旋涂层的两侧露出; 在基板上形成层间电介质层的工序; 除去图案化的无定形碳层或旋涂层的一部分去除层间电介质层的一部分， 去除图案化的无定形碳层或旋涂层以形成开口的步骤; 以及用导电材料填充开口以形成接触窗的步骤。