公开(公告)号：US20060110914A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US10995800

申请日：2004-11-22

申请人： Kathy Gehoski ,  William Dauksher ,  Ngoc Le ,  Douglas Resnick

发明人： Kathy Gehoski ,  William Dauksher ,  Ngoc Le ,  Douglas Resnick

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

摘要： A direct imprinting process for Step and Flash Imprint Lithography includes providing (40) a substrate (12); forming (44) an etch barrier layer (14) on the substrate; patterning (46) the etch barrier layer with a template (16) while curing with ultraviolet light through the template, resulting in a patterned etch barrier layer and a residual layer (20) on the substrate; and performing (48) an etch to substantially remove the residual layer. Optionally, a patterning layer (52) may be formed on the substrate (12) prior to forming the etch barrier layer (14). Additionally, an adhesive layer (13) may be applied (42) between the substrate (12) and the etch barrier layer (14).

摘要翻译： 步进和闪光印记光刻技术的直接印刷工艺包括提供（40）基材（12）; 在衬底上形成（44）蚀刻阻挡层（14）; 在通过模板的紫外线固化的同时用模板（16）对蚀刻阻挡层进行图案化（46），从而在衬底上产生图案化的蚀刻阻挡层和残余层（20）; 并执行（48）蚀刻以基本上去除残留层。 可选地，在形成蚀刻阻挡层（14）之前，可以在衬底（12）上形成图案化层（52）。 另外，可以在衬底（12）和蚀刻阻挡层（14）之间施加粘合剂层（13）（42）。