公开(公告)号：US4888142A

公开(公告)日：1989-12-19

申请号：US139109

申请日：1987-12-22

申请人： Kenrou Hayashi ,  Reiji Oguma ,  Masayuki Tamura

发明人： Kenrou Hayashi ,  Reiji Oguma ,  Masayuki Tamura

IPC分类号： C01B21/068 ,  C04B35/593 ,  C23C16/34 ,  C30B15/10 ,  C30B35/00

CPC分类号： C30B35/002 ,  C01B21/0687 ,  C04B35/593 ,  C04B35/5935 ,  C23C16/345 ,  C30B15/10 ,  C01P2002/02 ,  C01P2006/80

摘要： Disclosed is a process for producing .beta.-form Si.sub.3 N.sub.4 comprising firing amorphous or .alpha.-form Si.sub.3 N.sub.4 of high chemical purity in a non-oxidizing atmosphere under an elevated pressure at a temperature of at least about 1600.degree. C., as well as a process for producing an article comprising such .beta.-form Si.sub.3 N.sub.4.

摘要翻译： 公开了一种生产β型Si 3 N 4的方法，包括在非氧化性气氛中，在至少约1600℃的温度下，在高压下，烧制具有高化学纯度的无定形或α型Si 3 N 4，以及 生产包含这种β型Si 3 N 4的制品。