公开(公告)号：US20080311020A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US11885798

申请日：2006-02-28

申请人： Nobuaki Ito ,  Jiro Kondo ,  Kensuke Okazawa ,  Masaki Okajima

发明人： Nobuaki Ito ,  Jiro Kondo ,  Kensuke Okazawa ,  Masaki Okajima

IPC分类号： C01B33/037

CPC分类号： C01B33/037

摘要： An object of the invention is to provide a method for producing a large amount of inexpensive and high purity silicon useful in a solar battery. The method includes steps of preparing molten silicon, preparing a slag, bringing the molten silicon and the slag into contact with each other, and exposing at least the slag to vacuum pressure.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种生产用于太阳能电池的大量廉价和高纯度硅的方法。 该方法包括以下步骤：制备熔融硅，制备炉渣，使熔融硅和炉渣彼此接触，并至少将炉渣暴露于真空压力。

公开(公告)号：US20080145294A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11883280

申请日：2006-02-09

申请人： Shinji Tokumaru ,  Kensuke Okazawa ,  Jirou Kondou ,  Masaki Okajima

发明人： Shinji Tokumaru ,  Kensuke Okazawa ,  Jirou Kondou ,  Masaki Okajima

IPC分类号： C01B33/023

CPC分类号： C01B33/037

摘要： The present invention provides a method of refining low purity Si by a slag, in particular removing B, which suppresses wear of the reaction vessel due to the slag and produces high purity Si used for solar battery materials etc. at a low cost, comprising adding SiO2 and an alkali oxide or alkali carbonate as a slag material into molten Si to form a slag during which adding one or more types of materials among materials the same as the reaction vessel material used or ingredients included in the reaction vessel material into the slag so as to remove the impurities in the molten Si.

摘要翻译： 本发明提供一种通过炉渣精炼低纯度Si的方法，特别是除去B，其抑制了由于炉渣引起的反应容器的磨损，并以低成本产生用于太阳能电池材料等的高纯度Si，包括加入 SiO 2和作为炉渣的碱金属氧化物或碱金属碳酸盐混合成熔融Si以形成炉渣，在炉渣中添加与所使用的反应容器材料相同的材料中的一种或多种材料， 将反应容器的材料倒入炉渣中以除去熔融Si中的杂质。

公开(公告)号：US08038973B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12086041

申请日：2006-07-20

申请人： Nobuaki Ito ,  Kensuke Okazawa ,  Shinji Tokumaru ,  Masaki Okajima

发明人： Nobuaki Ito ,  Kensuke Okazawa ,  Shinji Tokumaru ,  Masaki Okajima

IPC分类号： C01B33/023 ,  B01J19/12

CPC分类号： C01B33/037

摘要： The present invention provides a high purity silicon production system and production method suitable for using inexpensive metallurgical grade metal silicon as a material and using the slag refining method to produce high purity silicon with a purity of 6N or more suitable for solar battery applications, in particular, high purity silicon with a boron content of at least not more than 0.3 mass ppm, inexpensively on an industrial scale, that is, a high purity silicon production system and production method using the slag refining method wherein a direct electromagnetic induction heating means having the function of directly heating the molten silicon in the crucible by electromagnetic induction is arranged outside the outside wall surface of the above crucible and the crucible is formed by an oxidation resistant material at least at a region where the molten silicon contacts the crucible inside wall surface at the time of not powering the direct electromagnetic induction heating means.

摘要翻译： 本发明提供了一种适用于廉价的冶金级金属硅作为材料的高纯度硅生产系统和生产方法，并且使用炉渣精炼方法生产出适合于太阳能电池应用的纯度为6N或更高的高纯度硅，特别是 硼含量至少为0.3质量ppm以下的高纯度硅，以工业规模廉价，即高纯硅生产系统和使用渣精炼方法的生产方法，其中直接电磁感应加热装置具有 通过电磁感应直接加热坩埚中的熔融硅的功能被布置在上述坩埚的外壁表面的外侧，坩埚至少在熔融硅与坩埚内壁表面接触的区域由抗氧化材料形成 没有为直接电磁感应加热装置供电的时间。

公开(公告)号：US08034151B2

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US10591093

申请日：2005-03-02

申请人： Jiro Kondo ,  Kensuke Okazawa

发明人： Jiro Kondo ,  Kensuke Okazawa

IPC分类号： C21B11/10

CPC分类号： C01B33/037

摘要： The present invention provides a method for removal of boron from metal silicon inexpensively and extremely efficiently by a simple method, specifically, heating metal silicon containing boron as an impurity to its melting point to 2200° C. to place it in a molten state, then adding a solid mainly comprised of silicon dioxide and a solid mainly comprised of one or both of a carbonate of an alkali metal or a hydrate of a carbonate of an alkali metal into said molten silicon so as to form a slag and remove the boron in the silicon.

摘要翻译： 本发明提供了一种通过简单的方法廉价地且极其有效地从金属硅中除去硼的方法，具体地说，将含有硼作为杂质的金属硅加热至其熔点为2200℃以将其置于熔融状态， 将主要由二氧化硅组成的固体和主要由碱金属的碳酸盐或碱金属碳酸盐的水合物中的一种或两者组成的固体加入到所述熔融硅中，以形成炉渣并除去 硅。

公开(公告)号：US20080247936A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US11885749

申请日：2006-02-28

申请人： Nobuaki Ito ,  Jiro Kondo ,  Kensuke Okazawa ,  Masaki Okajima

发明人： Nobuaki Ito ,  Jiro Kondo ,  Kensuke Okazawa ,  Masaki Okajima

IPC分类号： C01B33/02

CPC分类号： C01B33/037

摘要： An object of the present invention is to provide a method for producing a great deal of inexpensive high purity silicon useful in a solar battery. Disclosed is a method for producing the high purity silicon by migrating impurities in molten silicon to slag including the step of feeding an oxidizing agent to the molten silicon together with slag, wherein the oxidizing agent is a material comprising as a primary component at least one of the following materials: alkali metal carbonate, hydrate of alkali metal carbonate, alkali metal hydroxide, alkaline-earth metal carbonate, hydrate of alkaline-earth metal carbonate or alkaline-earth metal hydroxide.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种生产用于太阳能电池的大量便宜的高纯度硅的方法。 公开了一种通过将熔融硅中的杂质迁移到炉渣中来生产高纯度硅的方法，包括将氧化剂与炉渣一起供入熔融硅的步骤，其中氧化剂是包含作为主要组分的材料， 以下材料：碱金属碳酸盐，碱金属碳酸盐的水合物，碱金属氢氧化物，碱土金属碳酸盐，碱土金属碳酸盐的水合物或碱土金属氢氧化物。

公开(公告)号：US20070180949A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US10591093

申请日：2005-03-02

申请人： Jiro Kondo ,  Kensuke Okazawa

发明人： Jiro Kondo ,  Kensuke Okazawa

IPC分类号： C22B9/10

CPC分类号： C01B33/037

摘要： The present invention provides a method for removal of boron from metal silicon inexpensively and extremely efficiently by a simple method, specifically, heating metal silicon containing boron as an impurity to its melting point to 2200° C. to place it in a molten state, then adding a solid mainly comprised of silicon dioxide and a solid mainly comprised of one or both of a carbonate of an alkali metal or a hydrate of a carbonate of an alkali metal into said molten silicon so as to form a slag and remove the boron in the silicon.

摘要翻译： 本发明提供了一种通过简单的方法廉价地且极其有效地从金属硅中除去硼的方法，具体地说，将含有硼作为杂质的金属硅加热至其熔点为2200℃以将其置于熔融状态， 将主要由二氧化硅组成的固体和主要由碱金属的碳酸盐或碱金属的碳酸盐的水合物中的一种或两者组成的固体加入到所述熔融硅中，以形成炉渣并除去 硅。

公开(公告)号：US07662356B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US11883280

申请日：2006-02-09

申请人： Shinji Tokumaru ,  Kensuke Okazawa ,  Jirou Kondou ,  Masaki Okajima

发明人： Shinji Tokumaru ,  Kensuke Okazawa ,  Jirou Kondou ,  Masaki Okajima

IPC分类号： C01B33/02 ,  C01B33/07

CPC分类号： C01B33/037

摘要： The present invention provides a method of refining low purity Si by a slag, in particular removing B, which suppresses wear of the reaction vessel due to the slag and produces high purity Si used for solar battery materials etc. at a low cost, comprising adding SiO2 and an alkali oxide or alkali carbonate as a slag material into molten Si to form a slag during which adding one or more types of materials among materials the same as the reaction vessel material used or ingredients included in the reaction vessel material into the slag so as to remove the impurities in the molten Si.

摘要翻译： 本发明提供一种通过炉渣精炼低纯度Si的方法，特别是除去B，其抑制了由于炉渣引起的反应容器的磨损，并以低成本产生用于太阳能电池材料等的高纯度Si，包括加入 SiO 2和碱金属氧化物或碱金属碳酸盐作为炉渣材料，形成熔融Si以形成炉渣，在炉渣中添加一种或多种类型的材料，与所使用的反应容器材料相同的材料或包含在反应容器材料中的成分进入炉渣 以去除熔融Si中的杂质。

公开(公告)号：US20080274031A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US11885801

申请日：2006-02-28

申请人： Nobuaki Ito ,  Jiro Kondo ,  Kensuke Okazawa ,  Masaki Okajima

发明人： Nobuaki Ito ,  Jiro Kondo ,  Kensuke Okazawa ,  Masaki Okajima

IPC分类号： C01B33/037

CPC分类号： C01B33/037

摘要： The invention relates to a method for producing a great deal of inexpensive high purity silicon useful in a solar battery. Disclosed is a method for producing high purity silicon by removing boron from silicon by oxidization including commencing an oxidization reaction between an oxidizing agent and molten silicon, and cooling at least part of the oxidizing agent during the reaction.

摘要翻译： 本发明涉及一种生产用于太阳能电池的大量便宜的高纯度硅的方法。 公开了一种通过氧化从硅中除去硼而产生高纯度硅的方法，包括开始氧化剂和熔融硅之间的氧化反应，以及在反应期间冷却至少部分氧化剂。

公开(公告)号：US5746268A

公开(公告)日：1998-05-05

申请号：US646230

申请日：1996-05-09

申请人： Keisuke Fujisaki ,  Kiyoshi Wajima ,  Kenji Umetsu ,  Kenzo Sawada ,  Takatsugu Ueyama ,  Takehiko Toh ,  Kensuke Okazawa ,  Yasushi Okumura

发明人： Keisuke Fujisaki ,  Kiyoshi Wajima ,  Kenji Umetsu ,  Kenzo Sawada ,  Takatsugu Ueyama ,  Takehiko Toh ,  Kensuke Okazawa ,  Yasushi Okumura

IPC分类号： B22D11/115 ,  B22D27/02

CPC分类号： B22D11/115

摘要： A method and an apparatus for continuously casting a metal slab made of steel are provided for uniformly circulating molten metal on a meniscus in a mold. The cast metal slab has no surface defect such as a slitting. On the meniscus, the method and apparatus operates to generate electromagnetic stirring thrusts along two long mold sides, these thrusts being opposed to each other. The thrust oriented from a dipping nozzle to the short mold side is made larger than the thrust oriented from the short mold side to the dipping nozzle. A circuit for connecting each coil of a shifting field electromagnetic stirring coil part with a three-phase power supply is symmetric to another circuit with respect to the dipping nozzle. The circuit is divided into two parts along each long mold side. The divided circuit parts are located in parallel but have respective impedances.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP95 / 00027 Sec。 371日期：1996年5月9日 102（e）日期1996年5月9日PCT提交1995年1月12日PCT公布。 WO95 / 24285 PCT公开号 日期1995年9月14日提供了一种用于连续铸造由钢制成的金属板的方法和装置，用于将熔融金属均匀地循环在模具中的弯液面上。 铸钢板没有表面缺陷，如切割。 在弯液面上，该方法和装置操作以沿着两个长的模具侧产生电磁搅拌推力，这些推力彼此相对。 使从浸渍喷嘴到短模侧的推力大于从短模侧到浸渍喷嘴的推力。 用于将换档场电磁搅拌线圈部分的每个线圈与三相电源连接的电路相对于浸渍喷嘴与另一个电路对称。 电路沿着每个长模侧分为两部分。 划分的电路部件并联设置，但是具有各自的阻抗。

公开(公告)号：US20090155158A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12086041

申请日：2006-07-20

申请人： Nobuaki Ito ,  Kensuke Okazawa ,  Shinji Tokumaru ,  Masaki Okajima

发明人： Nobuaki Ito ,  Kensuke Okazawa ,  Shinji Tokumaru ,  Masaki Okajima

IPC分类号： C01B33/02 ,  B01J19/00

CPC分类号： C01B33/037

摘要： The present invention provides a high purity silicon production system and production method suitable for using inexpensive metallurgical grade metal silicon as a material and using the slag refining method to produce high purity silicon with a purity of 6N or more suitable for solar battery applications, in particular, high purity silicon with a boron content of at least not more than 0.3 mass ppm, inexpensively on an industrial scale, that is, a high purity silicon production system and production method using the slag refining method wherein a direct electromagnetic induction heating means having the function of directly heating the molten silicon in the crucible by electromagnetic induction is arranged outside the outside wall surface of the above crucible and the crucible is formed by an oxidation resistant material at least at a region where the molten silicon contacts the crucible inside wall surface at the time of not powering the direct electromagnetic induction heating means.

摘要翻译： 本发明提供了一种适用于廉价的冶金级金属硅作为材料的高纯度硅生产系统和生产方法，并且使用炉渣精炼方法生产出适合于太阳能电池应用的纯度为6N或更高的高纯度硅，特别是 硼含量至少为0.3质量ppm以下的高纯度硅，以工业规模廉价，即高纯硅生产系统和使用渣精炼方法的生产方法，其中直接电磁感应加热装置具有 通过电磁感应直接加热坩埚中的熔融硅的功能被布置在上述坩埚的外壁表面的外侧，坩埚至少在熔融硅与坩埚内壁表面接触的区域由抗氧化材料形成 没有为直接电磁感应加热装置供电的时间。