公开(公告)号：US6129742A

公开(公告)日：2000-10-10

申请号：US281910

申请日：1999-03-31

申请人： Fan Wu ,  Allen W. McLaurin ,  Doug G. Managhan ,  Kirk Henson

发明人： Fan Wu ,  Allen W. McLaurin ,  Doug G. Managhan ,  Kirk Henson

IPC分类号： A61N1/02 ,  A61N1/00

CPC分类号： A61N1/02

摘要： A method for forming a thin film resistor includes providing a sputter target having one or more silicon containing components and chromium diboride. For example, the one or more silicon containing components may include silicon and/or silicon carbide. The resistor film is then sputter deposited on a surface using a nitrogen containing sputter gas. The resistor material generally is sputtered to a thickness in the range of about 125 .ANG. to about 500 .ANG. while maintaining a desirable sheet resistance. The resistor film may be used in one or more electrical circuits, such as in an implantable medical device.

摘要翻译： 形成薄膜电阻器的方法包括提供具有一种或多种含硅组分和二硼化铬的溅射靶。 例如，一种或多种含硅组分可以包括硅和/或碳化硅。 然后使用含氮溅射气体将电阻膜溅射沉积在表面上。 电阻器材料通常在大约125安培至大约500安培的范围内被溅射，同时保持理想的薄层电阻。 电阻膜可以用在一个或多个电路中，例如在可植入的医疗装置中。