公开(公告)号：US07256970B2

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：US10317878

申请日：2002-12-12

申请人： Yong Shen ,  Kwok Kam Leung ,  Hiroshi Kiyono ,  Tetsuo Miyazaki

发明人： Yong Shen ,  Kwok Kam Leung ,  Hiroshi Kiyono ,  Tetsuo Miyazaki

IPC分类号： G11B5/127 ,  G11B5/33

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/0016 ,  G11B2005/3996

摘要： A magnetic reading head comprising: a bottom shield; a top shield; an AMR device with MR and SAL separated by a thin insulating layer; a first insulting gap layer between said bottom shield and said AMR; a second insulating gap layer between said AMR and said top shield; a conductive layer contact at one end region of said MR and SAL. Furthermore, magnetic reading heads with GMR device free of electric-pop noise also are disclosed.

摘要翻译： 一种磁读头，包括：底屏蔽; 顶层盾牌 具有通过薄绝缘层分离的MR和SAL的AMR器件; 所述底屏蔽和所述AMR之间的第一绝缘间隙层; 所述AMR和所述顶部屏蔽之间的第二绝缘间隙层; 在所述MR和SAL的一个端部区域处的导电层接触。 此外，还公开了具有没有电流噪声的GMR装置的磁读头。

公开(公告)号：US07158356B2

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：US10792078

申请日：2004-03-03

申请人： Yong Shen ,  Kwok Kam Leung ,  Hiroshi Kiyono ,  Tetsuo Miyazaki

发明人： Yong Shen ,  Kwok Kam Leung ,  Hiroshi Kiyono ,  Tetsuo Miyazaki

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/0016 ,  G11B2005/3996

摘要： The invention relates to a magnetic recording head comprising: a bottom shield; a top shield; and AMR device with MR and SAL separated by a thin insulating layer; a first insulting gap layer between said bottom shield and said AMR; a second insulating gap layer between said AMR and said top shield; a conductive layer contact at one end region of said MR and SAL. Furthermore, magnetic recording heads with GMR device free of electric-pop noise also are disclosed.

摘要翻译： 磁记录头技术领域本发明涉及一种磁记录头，包括：底屏蔽; 顶层盾牌 和具有由绝缘层薄的MR和SAL分隔的AMR器件; 所述底屏蔽和所述AMR之间的第一绝缘间隙层; 所述AMR和所述顶部屏蔽之间的第二绝缘间隙层; 在所述MR和SAL的一个端部区域处的导电层接触。 此外，还公开了具有没有电流噪声的GMR装置的磁记录头。

公开(公告)号：US06583971B1

公开(公告)日：2003-06-24

申请号：US09265083

申请日：1999-03-09

申请人： Yong Shen ,  Kwok Kam Leung ,  Hiroshi Kiyono ,  Tetsuo Miyazaki

发明人： Yong Shen ,  Kwok Kam Leung ,  Hiroshi Kiyono ,  Tetsuo Miyazaki

IPC分类号： G11B539

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/0016 ,  G11B2005/3996

摘要： The invention relates to a magnetoresistive device comprising: a bottom shield; a top shield; an AMR/GMR device; a first insulating gap layer between said bottom shield and said AMR/GMR; a second insulating gap layer between said AMR/GMR and said top shield; and conductive layer contacting electrically both said AMR.GMR device to siaid bottom shield. Furthermore, similar active devices free of electric-pop noise also be disclosed.

摘要翻译： 本发明涉及一种磁阻器件，包括：底部屏蔽; 顶层盾牌 AMR / GMR设备; 所述底屏蔽和所述AMR / GMR之间的第一绝缘间隙层; 所述AMR / GMR与所述顶部屏蔽之间的第二绝缘间隙层; 并且导电层将所述AMR.GMR器件电气接触到所述底部屏蔽。 此外，还公开了没有电流噪声的类似有源器件。